STU8N65M5. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STU8N65M5

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 70 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 14 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 18 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.6 Ohm

Тип корпуса: TO251

Аналог (замена) для STU8N65M5

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STU8N65M5 даташит

 ..1. Size:1239K  st
 stb8n65m5 std8n65m5 stf8n65m5 sti8n65m5 stp8n65m5 stu8n65m5.pdf pdf_icon

STU8N65M5

 ..2. Size:1298K  st
 stb8n65m5 std8n65m5 stf8n65m5 stu8n65m5 stp8n65m5 sti8n65m5.pdf pdf_icon

STU8N65M5

 9.1. Size:71K  st
 stu8na80.pdf pdf_icon

STU8N65M5

STU8NA80 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR PRELIMINARY DATA TYPE V R I DSS DS(on) D STU8NA80 800 V

 9.2. Size:413K  st
 stu8nc90z.pdf pdf_icon

STU8N65M5

STU8NC90Z STU8NC90ZI N-CHANNEL 900V - 1.1 - 7.6A Max220/I-Max220 Zener-Protected PowerMESH III MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID STU8NC90Z 900 V

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... STU65N3LLH5, STU6N62K3, STU6NF10, STU70N2LH5, STU75N3LLH6, STU75N3LLH6-S, STU7NM60N, STU85N3LH5, 10N60, STU8NM50N, STU8NM60ND, STU90N4F3, STU95N2LH5, STU95N3LLH6, STV240N75F3, STV250N55F3, STV270N4F3