STU8N65M5 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: STU8N65M5
Маркировка: 8N65M5
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 70 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 650 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 25 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 7 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 15 nC
Время нарастания (tr): 14 ns
Выходная емкость (Cd): 18 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.6 Ohm
Тип корпуса: TO251
STU8N65M5 Datasheet (PDF)
stb8n65m5 std8n65m5 stf8n65m5 sti8n65m5 stp8n65m5 stu8n65m5.pdf
STB8N65M5, STD8N65M5, STF8N65M5STI8N65M5, STP8N65M5, STU8N65M5N-channel 650 V, 0.56 , 7 A MDmesh V Power MOSFETin DPAK, IPAK, TO-220, TO-220FP, DPAK and IPAKFeaturesType VDSS @ TJmax RDS(on) max. ID3STB8N65M5133STD8N65M522DPAK1 1STF8N65M5TO-220710 V
stb8n65m5 std8n65m5 stf8n65m5 stu8n65m5 stp8n65m5 sti8n65m5.pdf
STB8N65M5, STD8N65M5, STF8N65M5STI8N65M5, STP8N65M5, STU8N65M5N-channel 650 V, 0.56 , 7 A MDmesh V Power MOSFETin DPAK, IPAK, TO-220, TO-220FP, DPAK and IPAKFeaturesType VDSS @ TJmax RDS(on) max. ID3STB8N65M5133STD8N65M522DPAK1 1STF8N65M5TO-220710 V
stu8na80.pdf
STU8NA80N - CHANNEL ENHANCEMENT MODEFAST POWER MOS TRANSISTORPRELIMINARY DATATYPE V R IDSS DS(on) DSTU8NA80 800 V
stu8nc90z.pdf
STU8NC90ZSTU8NC90ZIN-CHANNEL 900V - 1.1 - 7.6A Max220/I-Max220Zener-Protected PowerMESHIII MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTU8NC90Z 900 V
std8nm50n stf8nm50n stp8nm50n stu8nm50n.pdf
STD8NM50N, STF8NM50NSTP8NM50N, STU8NM50NN-channel 500 V, 0.73 , 5 A MDmeshII Power MOSFETin DPAK, IPAK, TO-220 and TO-220FPFeaturesOrder codes VDSS@TJMAX RDS(on)max. ID3312STD8NM50N1DPAKSTF8NM50NIPAK550 V
stp8n80k5 stu8n80k5.pdf
STP8N80K5, STU8N80K5N-channel 800 V, 0.8 typ., 6 A Zener-protected SuperMESH 5 Power MOSFET in TO-220 and IPAK packagesDatasheet - production dataFeaturesOrder codes VDS RDS(on)max. ID PTOTSTP8N80K5TAB800 V 0.95 6 A 110 WTABSTU8N80K53 Worldwide best FOM (figure of merit)2132 Ultra low gate charge1IPAKTO-220 100% avalanche tested
std8nm60nd stf8nm60nd stp8nm60nd stu8nm60nd.pdf
STD8NM60ND, STF8NM60NDSTP8NM60ND, STU8NM60NDN-channel 600 V, 0.59 , 7 A, FDmesh II Power MOSFETTO-220, TO-220FP, IPAK, DPAKFeaturesVDSS RDS(on) Type ID3(@Tjmax) max2132STD8NM60ND 650 V
stu8nb90.pdf
STU8NB90N-CHANNEL 900V - 0.7 - 8.9A - Max220PowerMESH MOSFETADVANCE DATATYPE V R IDSS DS(on) DSTU8NB90 900 V
Другие MOSFET... STU65N3LLH5 , STU6N62K3 , STU6NF10 , STU70N2LH5 , STU75N3LLH6 , STU75N3LLH6-S , STU7NM60N , STU85N3LH5 , IRFB4115 , STU8NM50N , STU8NM60ND , STU90N4F3 , STU95N2LH5 , STU95N3LLH6 , STV240N75F3 , STV250N55F3 , STV270N4F3 .
History: KHB5D0N50P
