STW34NB20 - описание и поиск аналогов

 

STW34NB20. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STW34NB20

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 180 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 34 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 40 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 650 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.075 Ohm

Тип корпуса: TO247

Аналог (замена) для STW34NB20

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STW34NB20 даташит

 ..1. Size:228K  st
stw34nb20.pdfpdf_icon

STW34NB20

STW34NB20 N-CHANNEL 200V - 0.062 - 34A TO-247 PowerMESH MOSFET Table 1. General Features Figure 1. Package Type VDSS RDS(on) ID STW34NB20 200 V

 8.1. Size:510K  st
stf34nm60n stp34nm60n stw34nm60n.pdfpdf_icon

STW34NB20

STF34NM60N STP34NM60N, STW34NM60N N-channel 600 V, 0.092 , 29 A MDmesh II Power MOSFET TO-220, TO-247, TO-220FP Preliminary data Features RDS(on) Type VDSS ID PTOT max. 3 3 2 2 STF34NM60N 600 V 0.105 29 A 40 W 1 1 STP34NM60N 600 V 0.105 29 A 210 W TO-247 TO-220 STW34NM60N 600 V 0.105 29 A 210 W 100% avalanche tested 3 Low input capacitance and ga

 8.2. Size:1424K  st
stb34n65m5 sti34n65m5 stp34n65m5 stw34n65m5.pdfpdf_icon

STW34NB20

STB34N65M5, STI34N65M5, STP34N65M5, STW34N65M5 N-channel 650 V, 0.09 typ., 28 A MDmesh V Power MOSFETs in D2PAK, I2PAK, TO-220 and TO-247 packages Datasheet - production data Features TAB TAB Order codes VDS @ TJmax RDS(on) max ID 2 3 1 3 2 1 STB34N65M5 D2PAK I2PAK STI34N65M5 710 V 0.11 28 A TAB STP34N65M5 STW34N65M5 Worldwide best RDS(on) * area 3 3 2

 8.3. Size:1035K  st
stw34nm60n.pdfpdf_icon

STW34NB20

STW34NM60N N-channel 600 V, 0.092 typ., 31.5 A MDmesh II Power MOSFETs in a TO-247 package Datasheet - production data Features Order code VDSS RDS(on) ID PTOT STW34NM60N 600 V 0.105 31.5 A 250 W 100% avalanche tested Low input capacitance and gate charge 3 Low gate input resistance 2 1 Applications TO-247 Switching applications Description Figure 1.

Другие MOSFET... STW26NM60N , STW27NM60ND , STW28NM50N , STW30N65M5 , STW30NF20 , STW30NM50N , STW32N55M5 , STW32N65M5 , 7N60 , STW34NM60N , STW34NM60ND , STW35N65M5 , STW36NM60N , STW3N150 , STW40NF20 , STW42N65M5 , STW43NM60N .

History: XP161A1265PR-G | APT5014SFLLG | NCE60R360F | SGM3055 | RTR025N05FRA | IRF7326D2PBF | S2N7002K

 

 

 

 

↑ Back to Top
.