STW43NM60ND MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: STW43NM60ND
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 255 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 35 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 40 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 250 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.088 Ohm
Тип корпуса: TO247
Аналог (замена) для STW43NM60ND
STW43NM60ND Datasheet (PDF)
stw43nm60nd.pdf
STW43NM60NDN-channel 600 V, 0.075 , 35 A TO-247FDmesh Power MOSFET (with fast diode)FeaturesVDSS @ RDS(on) Type IDTJMAX maxSTW43NM60ND 650 V
stw43nm60n.pdf
STW43NM60NN-channel 600 V, 0.075 , 35 A MDmesh II Power MOSFETTO-247FeaturesVDSS RDS(on) Type ID(@Tjmax) maxSTW43NM60N 650 V
stw43nm50n.pdf
STW43NM50NN-channel 500 V, 0.070 , 37 A MDmesh II Power MOSFETTO-247FeaturesVDSS @ RDS(on) Type IDTjmax maxSTW43NM50N 550 V
stw43n60dm2.pdf
STW43N60DM2 N-channel 600 V, 0.085 typ., 34 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-247 package Datasheet - production data Features V @ DSR DS(on)Order code I P D TOTmax. TJmax. STW43N60DM2 650 V 0.093 34 A 250 W Fast-recovery body diode 3 Extremely low gate charge and input 2capacitance 1 Low on-resistance 100% avalanche tested TO-2
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 20N50 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918