STW9NK90Z - параметры транзистора MOSFET, его аналоги, datasheet

STW9NK90Z MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

   Наименование прибора: STW9NK90Z
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 160 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 900 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 13 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 190 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.3 Ohm
   Тип корпуса: TO247

Аналог (замена) для STW9NK90Z

STW9NK90Z Datasheet (PDF)

..1. Size:991K st
stb9nk90z stf9nk90z stp9nk90z stw9nk90z.pdf

STB9NK90Z, STF9NK90ZSTP9NK90Z, STW9NK90ZN-channel 900 V, 1.1 , 8 A, TO-220, TO-220FP, D2PAK, TO-247Zener-protected SuperMESH Power MOSFETFeaturesRDS(on) Type VDSS ID Pwmax.331STB9NK90Z 160 W 21DPAKTO-220STW9NK90Z 160 W900V

..2. Size:305K inchange semiconductor
stw9nk90z.pdf

iscN-Channel MOSFET Transistor STW9NK90ZFEATURESDrain Current : I =8A@ T =25D CDrain Source Voltage: V =900V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R =1.3(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSmotor drive, DC-DC converter, power switchand solenoid drive.ABSOL

7.1. Size:307K st
stw9nk95z.pdf

STW9NK95ZN-channel 950 V - 1.15 - 7 A - TO-247Zener-protected SuperMESHTM Power MOSFETFeaturesRDS(on) Type VDSS ID PwMaxSTW9NK95Z 950 V

8.1. Size:668K st
stp9nk70z stp9nk70zfp stb9nk70z stb9nk70z-1 stw9nk70z.pdf

STP9NK70Z - STP9NK70ZFPSTB9NK70Z - STB9NK70Z-1 - STW9NK70ZN-CHANNEL 700V - 1 - 7.5A TO-220/FP/D2PAK/I2PAK/TO-247Zener-Protected SuperMESHPower MOSFETTYPE VDSS RDS(on) ID PwSTP9NK70Z 700 V

9.1. Size:132K st
2sk2078 stw9na80.pdf

STW9NA80STH9NA80FI N - CHANNEL 800V - 0.85 - 9.1A - TO-247/ISOWATT218FAST POWER MOS TRANSISTORTYPE VDSS RDS(on) IDSTW9NA80 800 V

9.2. Size:125K st
stw9na60.pdf

STW9NA60STH9NA60FI N - CHANNEL ENHANCEMENT MODEFAST POWER MOS TRANSISTORTYPE VDSS RDS(on) IDSTW9NA60 600 V

9.3. Size:279K st
stw9nb80.pdf

STW9NB80N-CHANNEL 800V - 0.85 - 9.3A TO-247PowerMESH MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTW9NB80 800V

9.4. Size:248K st
stw9nc70z.pdf

STW9NC70ZN-CHANNEL 700V - 0.90 - 7.5A TO-247Zener-Protected PowerMESHIII MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTW9NC70Z 700 V

9.5. Size:270K st
stw9nb90.pdf

STW9NB90N-CHANNEL 900V - 0.85 - 9.7A - TO-247PowerMESH MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTW9NB90 900 V

9.6. Size:260K st
stw9n150.pdf

STW9N150N-channel 1500 V - 1.8 - 8 A - TO-247very high voltage PowerMESH Power MOSFETFeaturesType VDSS RDS(on) ID PwSTW9N150 1500 V

9.7. Size:791K st
stp9n80k5 stw9n80k5.pdf

STP9N80K5, STW9N80K5 N-channel 800 V, 0.73 typ., 7 A MDmesh K5 Power MOSFETs in a TO-220 and TO-247 packages Datasheet - production data Features TABOrder code V R max. I DS DS(on) DSTP9N80K5 800 V 0.90 7 A STW9N80K5 33 Industrys lowest R x area DS(on)221 Industrys best FoM (figure of merit) 1 Ultra-low gate charge 100% avala

9.8. Size:132K st
stw9na80.pdf