APT40M82WVR. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: APT40M82WVR
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 450 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 400 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 44 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 16 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 1140 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.082 Ohm
Тип корпуса: TO267
Аналог (замена) для APT40M82WVR
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
APT40M82WVR даташит
apt40m82wvr.pdf
APT40M82WVR 400V 44A 0.082 POWER MOS V TO-267 Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs. This new technology minimizes the JFET effect, increases packing density and reduces the on-resistance. Power MOS V also achieves faster switching speeds through optimized gate layout. Faster Switching 100% Avalanche Tested D Lower
apt40m42jn.pdf
D G APT40M42JN 400V 86A 0.042 S "UL Recognized" File No. E145592 (S) ISOTOP POWER MOS IV SINGLE DIE ISOTOP PACKAGE N- CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETS MAXIMUM RATINGS All Ratings TC = 25 C unless otherwise specified. APT Symbol Parameter 40M42JN UNIT VDSS Drain-Source Voltage 400 Volts ID Continuous Drain Current @ TC = 25 C 86 Amps IDM, lLM Pulse
apt40m70lvr.pdf
APT40M70LVR 400V 57A 0.070 POWER MOS V Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement TO-264 mode power MOSFETs. This new technology minimizes the JFET effect, increases packing density and reduces the on-resistance. Power MOS V also achieves faster switching speeds through optimized gate layout.. Faster Switching 100% Avalanche Tested D Lowe
apt40m70jvr.pdf
APT40M70JVR 400V 53A 0.070 POWER MOS V Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs. This new technology minimizes the JFET effect, increases packing density and reduces the on-resistance. Power MOS V also achieves faster switching speeds through optimized gate layout. "UL Recognized" ISOTOP Faster Switching 100% Avalanche
Другие IGBT... APT4020BVR, APT4030CNR, APT40M35JVR, APT40M35PVR, APT40M42JN, APT40M70JVR, APT40M70LVR, APT40M75JN, 2N7002, APT5010B2VFR, APT5010B2VR, APT5010JN, APT5010JVFR, APT5010JVR, APT5010LVFR, APT5010LVR, APT5012WVR
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUW033N08BG | AUW025N10 | AUR030N10 | AUR020N10 | AUR020N085 | AUR014N10 | AUP074N10 | AUP065N10 | AUP062N08BG | AUP060N08AG | HYG053N10NS1B | HYG053N10NS1P | AP220N04T | AP220N04P | QM3126M3 | AUP060N055
Popular searches
ksc1845 transistor | irf630 datasheet | mpsa13 equivalent | c5198 | 2sc1969 transistor | bcy21 | s8550 datasheet | mj50ac100










