STY112N65M5 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов

   Наименование прибора: STY112N65M5
   Маркировка: 112N65M5
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 625 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 96 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 350 nC
   trⓘ - Время нарастания: 79 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 365 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.022 Ohm
   Тип корпуса: MAX247
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам