STY140NS10 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: STY140NS10
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 450 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 140 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 150 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 2100 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.011 Ohm
Тип корпуса: MAX247
Аналог (замена) для STY140NS10
STY140NS10 Datasheet (PDF)
sty140ns10.pdf
STY140NS10N-CHANNEL 100V - 0.009 - 140A MAX247MESH OVERLAY POWER MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTY140NS10 100V
sty145n65m5.pdf
STY145N65M5N-channel 650 V, 0.012 typ., 138 A, MDmesh V Power MOSFET in Max247 packageDatasheet preliminary dataFeaturesVDSS Order code@TJmax RDS(on) max IDSTY145N65M5 710 V
Другие MOSFET... STW7NK90Z , STW8NK80Z , STW90NF20 , STW9N150 , STW9NK70Z , STW9NK90Z , STY112N65M5 , STY130NF20D , 2N7000 , STY30NK90Z , STY60NK30Z , STY60NM50 , STY60NM60 , STY80NM60N , STZ150NF55T , BSB012N03LX3G , BSB012NE2LX .
History: SED8840 | ELM3C0660A | 2SJ649 | AP200N10MP
History: SED8840 | ELM3C0660A | 2SJ649 | AP200N10MP
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: SLI40N26C | SLB40N26C | RM150N100HD | HYG043N10NS2B | HYG043N10NS2P | HCA60R070F | FTP16N06A | AGM615MNA | AGM615MN | AGM615D | AGM614MNA | AGM614MN | AGM614MBP-M1 | AGM614MBP | AGM614D | AGM614A-G
Popular searches
fgpf4536 datasheet | p20nm60fp datasheet | 2sc1943 | 7408 mosfet | cs630 | 2sc2705 transistor | 647 transistor | d525 transistor



