Справочник MOSFET. STY140NS10

 

STY140NS10 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STY140NS10
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 450 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 140 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 150 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 2100 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.011 Ohm
   Тип корпуса: MAX247
 

 Аналог (замена) для STY140NS10

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STY140NS10 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:257K  st
 sty140ns10.pdf pdf_icon

STY140NS10

STY140NS10N-CHANNEL 100V - 0.009 - 140A MAX247MESH OVERLAY POWER MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTY140NS10 100V

 9.1. Size:782K  st
 sty145n65m5.pdf pdf_icon

STY140NS10

STY145N65M5N-channel 650 V, 0.012 typ., 138 A, MDmesh V Power MOSFET in Max247 packageDatasheet preliminary dataFeaturesVDSS Order code@TJmax RDS(on) max IDSTY145N65M5 710 V

Другие MOSFET... STW7NK90Z , STW8NK80Z , STW90NF20 , STW9N150 , STW9NK70Z , STW9NK90Z , STY112N65M5 , STY130NF20D , IRF9540 , STY30NK90Z , STY60NK30Z , STY60NM50 , STY60NM60 , STY80NM60N , STZ150NF55T , BSB012N03LX3G , BSB012NE2LX .

History: LSE80R350GT | AP3N4R0J | DI9400T | IPA65R600C6 | TMU8N25Z | IPB097N08N3G | SE60120B

 

 
Back to Top

 


 
.