Справочник MOSFET. BSB015N04NX3G

 

BSB015N04NX3G Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: BSB015N04NX3G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 35 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 6.4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 2300 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0015 Ohm
   Тип корпуса: WDSON2
 

 Аналог (замена) для BSB015N04NX3G

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BSB015N04NX3G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1566K  infineon
bsb015n04nx3g.pdfpdf_icon

BSB015N04NX3G

n-Channel Power MOSFETOptiMOSBSB015N04NX3 G Data Sheet2.3, 2011-05-24Final Industrial & MultimarketOptiMOS Power-MOSFETBSB015N04NX3 G1 DescriptionOptiMOS40V products are class leading power MOSFETs for highest powerdensity and energy efficient solutions. Ultra low gate- and output charges togetherwith lowest on state resistance in small footprint packages make

 9.1. Size:548K  infineon
bsb019n03lx.pdfpdf_icon

BSB015N04NX3G

& " + $ !#& '$>EFeatures 0 VDST +5 9E88 C?4G

 9.2. Size:1548K  infineon
bsb017n03lx3 bsb017n03lx3g.pdfpdf_icon

BSB015N04NX3G

n-Channel Power MOSFETOptiMOSBSB017N03LX3 Data Sheet2.2, 2011-05-27Final Industrial & MultimarketOptiMOS Power-MOSFETBSB017N03LX3 G1 DescriptionOptiMOS30V products are class leading power MOSFETs for highest powerdensity and energy efficient solutions. Ultra low gate- and output charges togetherwith lowest on state resistance in small footprint packages make Op

 9.3. Size:1557K  infineon
bsb014n04lx3g.pdfpdf_icon

BSB015N04NX3G

n-Channel Power MOSFETOptiMOSBSB014N04LX3 G Data Sheet2.2, 2011-05-24Final Industrial & MultimarketOptiMOS Power-MOSFETBSB014N04LX3 G1 DescriptionOptiMOS40V products are class leading power MOSFETs for highest powerdensity and energy efficient solutions. Ultra low gate- and output charges togetherwith lowest on state resistance in small footprint packages make

Другие MOSFET... STY60NK30Z , STY60NM50 , STY60NM60 , STY80NM60N , STZ150NF55T , BSB012N03LX3G , BSB012NE2LX , BSB014N04LX3G , K4145 , BSB017N03LX3G , BSB019N03LXG , BSB024N03LXG , BSB028N06NN3G , BSB053N03LPG , BSC010NE2LS , BSC011N03LS , BSC014N03LSG .

 

 
Back to Top

 


 
.