Справочник MOSFET. BSB015N04NX3G

 

BSB015N04NX3G Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: BSB015N04NX3G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 35 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 6.4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 2300 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0015 Ohm
   Тип корпуса: WDSON2
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

BSB015N04NX3G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1566K  infineon
bsb015n04nx3g.pdfpdf_icon

BSB015N04NX3G

n-Channel Power MOSFETOptiMOSBSB015N04NX3 G Data Sheet2.3, 2011-05-24Final Industrial & MultimarketOptiMOS Power-MOSFETBSB015N04NX3 G1 DescriptionOptiMOS40V products are class leading power MOSFETs for highest powerdensity and energy efficient solutions. Ultra low gate- and output charges togetherwith lowest on state resistance in small footprint packages make

 9.1. Size:548K  infineon
bsb019n03lx.pdfpdf_icon

BSB015N04NX3G

& " + $ !#& '$>EFeatures 0 VDST +5 9E88 C?4G

 9.2. Size:1548K  infineon
bsb017n03lx3 bsb017n03lx3g.pdfpdf_icon

BSB015N04NX3G

n-Channel Power MOSFETOptiMOSBSB017N03LX3 Data Sheet2.2, 2011-05-27Final Industrial & MultimarketOptiMOS Power-MOSFETBSB017N03LX3 G1 DescriptionOptiMOS30V products are class leading power MOSFETs for highest powerdensity and energy efficient solutions. Ultra low gate- and output charges togetherwith lowest on state resistance in small footprint packages make Op

 9.3. Size:1557K  infineon
bsb014n04lx3g.pdfpdf_icon

BSB015N04NX3G

n-Channel Power MOSFETOptiMOSBSB014N04LX3 G Data Sheet2.2, 2011-05-24Final Industrial & MultimarketOptiMOS Power-MOSFETBSB014N04LX3 G1 DescriptionOptiMOS40V products are class leading power MOSFETs for highest powerdensity and energy efficient solutions. Ultra low gate- and output charges togetherwith lowest on state resistance in small footprint packages make

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: SMK1430DI | HM150N03D | SFS15R065KNF | SI2323 | IRF3707SPBF | AUIRFZ48Z | SSG4470STM

 

 
Back to Top

 


 
.