BSC020N025SG - параметры транзистора MOSFET, его аналоги, datasheet

BSC020N025SG MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

   Наименование прибора: BSC020N025SG
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 25 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 29 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 2360 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.002 Ohm
   Тип корпуса: TDSON8

Аналог (замена) для BSC020N025SG

BSC020N025SG Datasheet (PDF)

3.1. Size:633K infineon
bsc020n025s.pdf

% ! % D #:A0

6.1. Size:385K infineon
bsc020n03ls.pdf

BSC020N03LS GOptiMOS3 Power-MOSFETProduct SummaryFeatures V 30 VDS Fast switching MOSFET for SMPS R 2mDS(on),max Optimized technology for DC/DC converters I 100 AD Qualified according to JEDEC1) for target applicationsPG-TDSON-8 N-channel; Logic level Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on) Very low on-resistance RDS(on) Superio

6.2. Size:679K infineon
bsc020n03ls .pdf

& " & E $;B1= !#& '$=;0@/? &@99-=DFeatures D Q 2CD CG:D49:?8 ') - . 7@B -'*- m D n) m xQ ) AD:>:J65 D649?@=@8I 7@B 4@?F6BD6BC 1 D1)Q + E2=:7:65 244@B5:?8 D@ $ 7@B D2B86D 2AA=:42D:@?C G D ON Q ( 492??6= &@8:4 =6F6=Q H46==6?D 82D6 492B86 H AB@5E4D ) ' D n)Q /6BI =@G @? B6C:CD2?46 D n)Q -EA6B:@B D96B>2= B6C:CD2?46Q F2=2?496 B2D65Q *3 7B66 A=2D:?8 , @

6.3. Size:452K infineon
bsc020n03ms.pdf

BSC020N03MS GOptiMOS3 M-Series Power-MOSFETProduct SummaryFeaturesV 30 VDS Optimized for 5V driver application (Notebook, VGA, POL)R V =10 V 2mDS(on),max GSV =4.5 V 2.5 Low FOMSW for High Frequency SMPSGSI 100 AD 100% Avalanche testedPG-TDSON-8 N-channel Very low on-resistance R @ V =4.5 VDS(on) GS Excellent gate charge x R product

6.4. Size:387K infineon
bsc020n03lsg.pdf