Справочник MOSFET. BSC025N03MSG

 

BSC025N03MSG Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: BSC025N03MSG
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 23 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1600 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0025 Ohm
   Тип корпуса: TDSON8
 

 Аналог (замена) для BSC025N03MSG

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BSC025N03MSG Datasheet (PDF)

 ..1. Size:542K  infineon
bsc025n03msg.pdfpdf_icon

BSC025N03MSG

% ! % D %0 G D ON S 07DK >AI A@ D7E;EF3@57 0 . A@ G S J57>>7@F 93F7 5:3D97 J BDA6G5F !* ( D n)1)S , G3>;8;76 355AD6;@9 FA % 8AD F3D97F 3BB>;53F;A@ES .GB7D;AD F:7

 3.1. Size:194K  infineon
bsc025n03ms.pdfpdf_icon

BSC025N03MSG

BSC025N03MS GOptiMOS3 M-Series Power-MOSFETProduct SummaryV 30 VFeatures DSR V =10 V 2.5mDS(on),max GS Optimized for 5V driver application (Notebook, VGA, POL)V =4.5 V 3GS Low FOMSW for High Frequency SMPSI 100 AD 100% avalanche tested N-channel PG-TDSON-8 Very low on-resistance R @ V =4.5 VDS(on) GS Excellent gate charge x R product (

 5.1. Size:382K  infineon
bsc025n03ls.pdfpdf_icon

BSC025N03MSG

BSC025N03LS GOptiMOS3 Power-MOSFETProduct SummaryFeatures V 30 VDS Fast switching MOSFET for SMPS R 2.5mDS(on),max Optimized technology for DC/DC converters I 100 AD Qualified according to JEDEC1) for target applicationsPG-TDSON-8 N-channel; Logic level Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on) Very low on-resistance RDS(on) Super

 5.2. Size:384K  infineon
bsc025n03lsg.pdfpdf_icon

BSC025N03MSG

BSC025N03LS GOptiMOS3 Power-MOSFETProduct SummaryFeatures V 30 VDS Fast switching MOSFET for SMPS R 2.5mDS(on),max Optimized technology for DC/DC converters I 100 AD Qualified according to JEDEC1) for target applicationsPG-TDSON-8 N-channel; Logic level Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on) Very low on-resistance RDS(on) Super

Другие MOSFET... BSC019N02KSG , BSC019N04NSG , BSC020N025SG , BSC020N03LSG , BSC020N03MSG , BSC022N03SG , BSC024NE2LS , BSC025N03LSG , IRFZ24N , BSC026N02KSG , BSC027N04LSG , BSC028N06LS3G , BSC030N03LSG , BSC030N03MSG , BSC030N04NSG , BSC030P03NS3G , BSC031N06NS3G .

History: AP6P064J | CJ3415 | DHF10H035R | SIL2301 | HSSC3139 | SFF25P20S2I-02 | PMZB390UNE

 

 
Back to Top

 


 
.