Справочник MOSFET. BSC027N04LSG

 

BSC027N04LSG Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: BSC027N04LSG
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 24 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 5.6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1100 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0027 Ohm
   Тип корпуса: TDSON8
 

 Аналог (замена) для BSC027N04LSG

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BSC027N04LSG Datasheet (PDF)

 ..1. Size:376K  infineon
bsc027n04lsg.pdfpdf_icon

BSC027N04LSG

BSC027N04LS GOptiMOS3 Power-TransistorProduct SummaryFeaturesV 40 VDS Fast switching MOSFET for SMPSR 2.7mDS(on),max Optimized technology for DC/DC convertersI 100 AD Qualified according to JEDEC1) for target applicationsPG-TDSON-8 N-channel; Logic level Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on) Very low on-resistance RDS(on)

 6.1. Size:1333K  infineon
bsc027n06ls5.pdfpdf_icon

BSC027N04LSG

BSC027N06LS5MOSFETSuperSO8OptiMOSTM Power-Transistor, 60 V5867Features 7685 Optimized for high performance SMPS, e.g. sync. rec. 100% avalanche tested Superior thermal resistance N-channel4 Qualified according to JEDEC1) for target applications132 2 Pb-free lead plating; RoHS compliant3 14 Halogen-free according to IEC61249-2-

 7.1. Size:831K  infineon
bsc027n10ns5.pdfpdf_icon

BSC027N04LSG

BSC027N10NS5MOSFETTSON-8-3OptiMOSTM Power-Transistor, 100 V8756 6Features 758 Optimized for high performance SMPS, e.g. sync. rec.Pin 1 100% avalanche tested2433 Superior thermal resistance4 21 N-channel Pb-free lead plating; RoHS compliant Halogen-free according to IEC61249-2-21 175C ratedProduct Validation:Qualified fo

 9.1. Size:437K  infineon
bsc028n06ns.pdfpdf_icon

BSC027N04LSG

TypeBSC028N06NSOptiMOSTM Power-TransistorProduct Summary FeaturesVDS 60 V Optimized for high performance SMPS, e.g. sync. rec.RDS(on),max 2.8 mW 100% avalanche testedID 100 A Superior thermal resistanceQoss 43 nC N-channelQG(0..10V) 37 nC Qualified according to JEDEC1) for target applications Pb-free lead plating; RoHS compliant Haloge

Другие MOSFET... BSC020N025SG , BSC020N03LSG , BSC020N03MSG , BSC022N03SG , BSC024NE2LS , BSC025N03LSG , BSC025N03MSG , BSC026N02KSG , 18N50 , BSC028N06LS3G , BSC030N03LSG , BSC030N03MSG , BSC030N04NSG , BSC030P03NS3G , BSC031N06NS3G , BSC032N03SG , BSC034N03LSG .

History: LSGD10R080W3 | IXTP4N80 | PE534BA | AO4718 | BSC500N20NS3G | VBMB155R18 | 2N3993A

 

 
Back to Top

 


 
.