APT5010JVFR. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: APT5010JVFR

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 450 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 44 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 16 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1000 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.1 Ohm

Тип корпуса: SOT227

Аналог (замена) для APT5010JVFR

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

APT5010JVFR даташит

 ..1. Size:73K  apt
 apt5010jvfr.pdf pdf_icon

APT5010JVFR

APT5010JVFR 500V 44A 0.100 POWER MOS V FREDFET Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs. This new technology minimizes the JFET effect, increases packing density and reduces the on-resistance. Power MOS V also achieves faster switching speeds through optimized gate layout. "UL Recognized" ISOTOP Fast Recovery Body Diode

 5.1. Size:112K  apt
 apt5010jvru3.pdf pdf_icon

APT5010JVFR

APT5010JVRU3 500V 44A 0.100 POWER MOS V Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs. This new technology minimizes the JFET effect, increases packing density and reduces the on-resistance. Power MOS V also achieves faster switching speeds through optimized gate layout. "UL Recognized" ISOTOP D Faster Switching 100% Avalan

 5.2. Size:111K  apt
 apt5010jvru2.pdf pdf_icon

APT5010JVFR

APT5010JVRU2 500V 44A 0.100 POWER MOS V Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs. This new technology minimizes the JFET effect, increases packing density and reduces the on-resistance. Power MOS V also achieves faster switching speeds through optimized gate layout. "UL Recognized" ISOTOP D Faster Switching 100% Avalan

 5.3. Size:71K  apt
 apt5010jvr.pdf pdf_icon

APT5010JVFR

APT5010JVR 500V 44A 0.100 POWER MOS V Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs. This new technology minimizes the JFET effect, increases packing density and reduces the on-resistance. Power MOS V also achieves faster switching speeds through optimized gate layout. "UL Recognized" ISOTOP Faster Switching 100% Avalanche T

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... APT40M42JN, APT40M70JVR, APT40M70LVR, APT40M75JN, APT40M82WVR, APT5010B2VFR, APT5010B2VR, APT5010JN, AO3401, APT5010JVR, APT5010LVFR, APT5010LVR, APT5012WVR, APT5014B2VR, APT5014LVR, APT5015BVR, APT5017BVFR