Справочник MOSFET. BSC030N04NSG

 

BSC030N04NSG Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: BSC030N04NSG
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 23 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1100 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.003 Ohm
   Тип корпуса: TDSON8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

BSC030N04NSG Datasheet (PDF)

 ..1. Size:378K  infineon
bsc030n04nsg.pdfpdf_icon

BSC030N04NSG

BSC030N04NS GOptiMOS3 Power-Transistor Product SummaryV 40 VFeatures DSR 3.0m Fast switching MOSFET for SMPS DS(on),maxI 100 A Optimized technology for DC/DC converters D Qualified according to JEDEC1) for target applicationsPG-TDSON-8 N-channel; Normal level Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on) Very low on-resistance RDS(on) S

 6.1. Size:687K  infineon
bsc030n03ls .pdfpdf_icon

BSC030N04NSG

& " & E $;B1= !#& '$=;0@/? &@99-=DFeatures D m Q 2CD CG:D49:?8 ') - . 7@B -'*- D n) m x 1 DQ ) AD:>:J65 D649?@=@8I 7@B 4@?F6BD6BC1) G D ON Q + E2=:7:65 244@B5:?8 D@ $ 7@B D2B86D 2AA=:42D:@?CQ ( 492??6= &@8:4 =6F6=Q H46==6?D 82D6 492B86 H AB@5E4D ) ' D n)Q /6BI =@G @? B6C:CD2?46 D n)Q -EA6B:@B D96B>2= B6C:CD2?46Q F2=2?496 B2D65Q *3 7B66 A=2D:?8 , @

 6.2. Size:1186K  infineon
bsc030n08ns5.pdfpdf_icon

BSC030N04NSG

MOSFETMetal Oxide Semiconductor Field Effect TransistorOptiMOSTMOptiMOSTM5 Power-Transistor, 80 VBSC030N08NS5Data SheetRev. 2.2FinalPower Management & MultimarketOptiMOSTM5 Power-Transistor, 80 VBSC030N08NS5SuperSO81 Description5867Features7685 Optimized for high performance SMPS, e.g. sync. rec. 100% avalanche tested Superior thermal re

 6.3. Size:384K  infineon
bsc030n03lsg.pdfpdf_icon

BSC030N04NSG

BSC030N03LS GOptiMOS3 Power-MOSFETProduct SummaryFeatures V 30 VDSR 3m Fast switching MOSFET for SMPS DS(on),maxI 100 AD Optimized technology for DC/DC convertersPG-TDSON-8 Qualified according to JEDEC1) for target applications N-channel; Logic level Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on) Very low on-resistance RDS(on) Superi

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

History: IPD65R250C6 | BL15N25-A | 2N60L-TM3-T | BRCS030N04DP | 5N65KL-TN3-R | IRFP21N60LPBF | SUF1002

 

 
Back to Top

 


 
.