APT5010JVR. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: APT5010JVR

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 450 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 44 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 16 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1000 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.1 Ohm

Тип корпуса: SOT227

Аналог (замена) для APT5010JVR

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

APT5010JVR даташит

 ..1. Size:71K  apt
 apt5010jvr.pdf pdf_icon

APT5010JVR

APT5010JVR 500V 44A 0.100 POWER MOS V Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs. This new technology minimizes the JFET effect, increases packing density and reduces the on-resistance. Power MOS V also achieves faster switching speeds through optimized gate layout. "UL Recognized" ISOTOP Faster Switching 100% Avalanche T

 0.1. Size:112K  apt
 apt5010jvru3.pdf pdf_icon

APT5010JVR

APT5010JVRU3 500V 44A 0.100 POWER MOS V Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs. This new technology minimizes the JFET effect, increases packing density and reduces the on-resistance. Power MOS V also achieves faster switching speeds through optimized gate layout. "UL Recognized" ISOTOP D Faster Switching 100% Avalan

 0.2. Size:111K  apt
 apt5010jvru2.pdf pdf_icon

APT5010JVR

APT5010JVRU2 500V 44A 0.100 POWER MOS V Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs. This new technology minimizes the JFET effect, increases packing density and reduces the on-resistance. Power MOS V also achieves faster switching speeds through optimized gate layout. "UL Recognized" ISOTOP D Faster Switching 100% Avalan

 5.1. Size:73K  apt
 apt5010jvfr.pdf pdf_icon

APT5010JVR

APT5010JVFR 500V 44A 0.100 POWER MOS V FREDFET Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs. This new technology minimizes the JFET effect, increases packing density and reduces the on-resistance. Power MOS V also achieves faster switching speeds through optimized gate layout. "UL Recognized" ISOTOP Fast Recovery Body Diode

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... APT40M70JVR, APT40M70LVR, APT40M75JN, APT40M82WVR, APT5010B2VFR, APT5010B2VR, APT5010JN, APT5010JVFR, K3569, APT5010LVFR, APT5010LVR, APT5012WVR, APT5014B2VR, APT5014LVR, APT5015BVR, APT5017BVFR, APT5017BVR