APT5010JVR Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: APT5010JVR
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 450 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 44 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 16 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 1000 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.1 Ohm
Тип корпуса: SOT227
Аналог (замена) для APT5010JVR
APT5010JVR Datasheet (PDF)
apt5010jvr.pdf

APT5010JVR500V 44A 0.100POWER MOS VPower MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancementmode power MOSFETs. This new technology minimizes the JFET effect,increases packing density and reduces the on-resistance. Power MOS Valso achieves faster switching speeds through optimized gate layout."UL Recognized"ISOTOP Faster Switching 100% Avalanche T
apt5010jvru3.pdf

APT5010JVRU3500V 44A 0.100POWER MOS VPower MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancementmode power MOSFETs. This new technology minimizes the JFET effect,increases packing density and reduces the on-resistance. Power MOS Valso achieves faster switching speeds through optimized gate layout."UL Recognized"ISOTOPD Faster Switching 100% Avalan
apt5010jvru2.pdf

APT5010JVRU2500V 44A 0.100POWER MOS VPower MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancementmode power MOSFETs. This new technology minimizes the JFET effect,increases packing density and reduces the on-resistance. Power MOS Valso achieves faster switching speeds through optimized gate layout."UL Recognized"ISOTOPD Faster Switching 100% Avalan
apt5010jvfr.pdf

APT5010JVFR500V 44A 0.100POWER MOS V FREDFETPower MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancementmode power MOSFETs. This new technology minimizes the JFET effect,increases packing density and reduces the on-resistance. Power MOS Valso achieves faster switching speeds through optimized gate layout."UL Recognized"ISOTOP Fast Recovery Body Diode
Другие MOSFET... APT40M70JVR , APT40M70LVR , APT40M75JN , APT40M82WVR , APT5010B2VFR , APT5010B2VR , APT5010JN , APT5010JVFR , SPP20N60C3 , APT5010LVFR , APT5010LVR , APT5012WVR , APT5014B2VR , APT5014LVR , APT5015BVR , APT5017BVFR , APT5017BVR .
History: FRL234D | IXTM20N60 | IXTM40N30
History: FRL234D | IXTM20N60 | IXTM40N30



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMTQ90N02A | JMTQ60N04B | JMTQ440P04A | JMTQ4407A | JMTQ380C03D | JMTQ3400D | JMTQ320N10A | JMTQ3010D | JMTQ3008A | JMTQ3006C | JMTQ3006B | JMTQ3005C | JMTQ3005A | JMTQ3003A | JMTQ250C03D | JMTLA3134K
Popular searches
bcy21 | s8550 datasheet | mj50ac100 | 2sc1318 replacement | 2n3905 | mj15023 | tip36c transistor | 2sc3320