Справочник MOSFET. BSC067N06LS3G

 

BSC067N06LS3G MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: BSC067N06LS3G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 26 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 710 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0067 Ohm
   Тип корпуса: TDSON8

 Аналог (замена) для BSC067N06LS3G

 

 

BSC067N06LS3G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:456K  infineon
 bsc067n06ls3g.pdf

BSC067N06LS3G BSC067N06LS3G

TypeBSC067N06LS3 GProduct Summary OptiMOSTM3 Power-TransistorFeaturesVDS 60 V Ideal for high frequency switching and sync. rec.RDS(on),max 6.7 mW Optimized technology for DC/DC convertersID 50 A Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on) Very low on-resistance RDS(on) Superior thermal resistance N-channel, logic level 100% avalanche tes

 2.1. Size:592K  infineon
 bsc067n06ls3.pdf

BSC067N06LS3G BSC067N06LS3G

pe % ! % TM# %?88,A=:2?E1)R + F2=:7:65 244@C5:?8

 9.1. Size:539K  infineon
 bsc060p03ns3eg.pdf

BSC067N06LS3G BSC067N06LS3G

& $ "& '! $ $;B1= '=-:>5>?;=$=;0@/? &@99-=D VFeatures DS 6.0m Q C:?8=6 ) 92??6= :? ,EA6B,( DS(on) max1)Q * E2=:7:65 244@B5:?8 $ 7@B D2B86D 2AA=:42D:@?C 100 ADQ T @A6B2D:?8 D6>A6B2DEB6PGTDSON8Q F2=2?496 B2D65Q . CA64:2==I CE:D65 7@B ?@D63@@A=:2?DQ 2AA=:42D:@?C 32DD6BI >2?286>6?D =@25 CG:D49:?8Q "2=

 9.2. Size:658K  infineon
 bsc060n10ns3 bsc060n10ns3g.pdf

BSC067N06LS3G BSC067N06LS3G

% ! !% TM #:A0 DQ ' 381>>5?B=1

 9.3. Size:400K  infineon
 bsc066n06ns.pdf

BSC067N06LS3G BSC067N06LS3G

TypeBSC066N06NSOptiMOSTM Power-TransistorFeaturesProduct Summary Optimized for high performance SMPS, e.g. sync. rec.VDS V 60 100% avalanche tested6.6 RDS(on),max mW Superior thermal resistanceID 64 A N-channelQOSS nC 19 Qualified according to JEDEC1) for target applicationsQG(0V..10V) nC 17 Pb-free lead plating; RoHS compliant

 9.4. Size:1307K  infineon
 bsc065n06ls5.pdf

BSC067N06LS3G BSC067N06LS3G

BSC065N06LS5MOSFETSuperSO8OptiMOSTM Power-Transistor, 60 V5867Features 7685 Optimized for high performance SMPS, e.g. sync. rec. 100% avalanche tested Superior thermal resistance N-channel, logic level4 Qualified according to JEDEC1) for target applications132 2 Pb-free lead plating; RoHS compliant3 14 Halogen-free according t

 9.5. Size:1173K  infineon
 bsc061n08ns5.pdf

BSC067N06LS3G BSC067N06LS3G

MOSFETMetal Oxide Semiconductor Field Effect TransistorOptiMOSTMOptiMOSTM5 Power-Transistor, 80 VBSC061N08NS5Data SheetRev. 2.0FinalPower Management & MultimarketOptiMOSTM5 Power-Transistor, 80 VBSC061N08NS5SuperSO81 Description5867Features7685 Optimized for high performance SMPS, e.g. sync. rec. 100% avalanche tested Superior thermal re

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top