BSC067N06LS3G Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: BSC067N06LS3G
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 26 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 710 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0067 Ohm
Тип корпуса: TDSON8
Аналог (замена) для BSC067N06LS3G
BSC067N06LS3G Datasheet (PDF)
bsc067n06ls3g.pdf

TypeBSC067N06LS3 GProduct Summary OptiMOSTM3 Power-TransistorFeaturesVDS 60 V Ideal for high frequency switching and sync. rec.RDS(on),max 6.7 mW Optimized technology for DC/DC convertersID 50 A Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on) Very low on-resistance RDS(on) Superior thermal resistance N-channel, logic level 100% avalanche tes
bsc060p03ns3eg.pdf

& $ "& '! $ $;B1= '=-:>5>?;=$=;0@/? &@99-=D VFeatures DS 6.0m Q C:?8=6 ) 92??6= :? ,EA6B,( DS(on) max1)Q * E2=:7:65 244@B5:?8 $ 7@B D2B86D 2AA=:42D:@?C 100 ADQ T @A6B2D:?8 D6>A6B2DEB6PGTDSON8Q F2=2?496 B2D65Q . CA64:2==I CE:D65 7@B ?@D63@@A=:2?DQ 2AA=:42D:@?C 32DD6BI >2?286>6?D =@25 CG:D49:?8Q "2=
Другие MOSFET... BSC054N04NSG , BSC057N03LSG , BSC057N03MSG , BSC057N08NS3G , BSC059N03SG , BSC059N04LSG , BSC060N10NS3G , BSC060P03NS3EG , 8N60 , BSC070N10NS3G , BSC072N03LDG , BSC076N06NS3G , BSC077N12NS3G , BSC079N10NSG , BSC080N03LSG , BSC080N03MSG , BSC080P03LSG .
History: AP75T10GP | PM516BZ



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSH0805PK | JMSH0805PG | JMSH0805PE | JMSH0805PC | JMSH0804NK | JMSH0804NG | JMSH0804NE | JMSH0804NC | JMSH0803PC | JMSH0803NGS | JMSH0803MTL | JMSH0803MG | JMSH0803ME | JMSH0803MC | JMSH0803AGS | JBE084M
Popular searches
3dd15d transistor | pa110bda | 2sb1243 | a1123 transistor | skd502t datasheet | svf7n65f | 2sc1419 datasheet | 2n4249 datasheet