BSC090N03LSG - описание и поиск аналогов

 

BSC090N03LSG. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BSC090N03LSG

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 2.6 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 460 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.009 Ohm

Тип корпуса: TDSON8

Аналог (замена) для BSC090N03LSG

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BSC090N03LSG даташит

 ..1. Size:521K  infineon
bsc090n03lsg.pdfpdf_icon

BSC090N03LSG

BSC090N03LS G OptiMOS 3 Power-MOSFET Product Summary Features VDS 30 V Fast switching MOSFET for SMPS RDS(on),max 9 mW Optimized technology for DC/DC converters ID 48 A Qualified according to JEDEC1) for target applications PG-TDSON-8 N-channel; Logic level Excellent gate charge x R product (FOM) DS(on) Very low on-resistance R DS(on) Superio

 3.1. Size:686K  infineon
bsc090n03ls.pdfpdf_icon

BSC090N03LSG

& " & E $;B1= !#& ' $=;0@/? &@99-=D Features D Q 2CD CG D49 ?8 ') - . 7@B -'*- m D n) m x 4 Q ) AD > J65 D649?@=@8I 7@B 4@?F6BD6BC D 1) Q + E2= 7 65 244@B5 ?8 D@ $ 7@B D2B86D 2AA= 42D @?C G D ON Q ( 492??6= &@8 4 =6F6= Q H46==6?D 82D6 492B86 H AB@5E4D ) ' D n) Q /6BI =@G @? B6C CD2?46 D n) Q -EA6B @B D96B>2= B6C CD2?46 Q F2=2?496 B2D65 Q *3 7B66 A=2D ?8 , @"

 5.1. Size:680K  infineon
bsc090n03msg.pdfpdf_icon

BSC090N03LSG

% ! % D %0 S 07DK >AI A@ D7E;EF3@57 0 D n) G S J57>>7@F 93F7 5 3D97 J BDA6G5F !* ( D n) 1) S , G3>;8;76 355AD6;@9 FA % 8AD F3D97F 3BB>;53F;A@E S .GB7D;AD F 7D

 8.1. Size:816K  infineon
bsc0902ns.pdfpdf_icon

BSC090N03LSG

BSC0902NS OptiMOSTM Power-MOSFET Product Summary Features VDS 30 V Optimized for high performance Buck converter RDS(on),max 2.6 mW Very low on-resistance R @ V =4.5 V DS(on) GS ID 100 A 100% avalanche tested QOSS 16 nC Superior thermal resistance QG(0V..10V) 26 nC N-channel Qualified according to JEDEC1) for target applications PG-TDSON-8

Другие MOSFET... BSC080P03LSG , BSC082N10LSG , BSC084P03NS3G , BSC084P03NS3EG , BSC0901NS , BSC0902NS , BSC0908NS , BSC0909NS , 20N60 , BSC090N03MSG , BSC093N04LSG , BSC094N03SG , BSC100N03LSG , BSC100N03MSG , BSC100N06LS3G , BSC100N10NSFG , BSC105N10LSFG .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.