Справочник MOSFET. BSF053N03LTG

 

BSF053N03LTG Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: BSF053N03LTG
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 16 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 700 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0053 Ohm
   Тип корпуса: WDSON2
 

 Аналог (замена) для BSF053N03LTG

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BSF053N03LTG Datasheet (PDF)

 3.1. Size:563K  infineon
 bsf053n03lt g.pdf pdf_icon

BSF053N03LTG

& " ' $;B1= !#& '$=;0@/? &@99-=DFeaturesD S +4 8D77 B>3F;@9 - A#. 5A?B>;3@F m D n) m xS G3> E;676 5AA>;@9 71 DS 'AI BDA8;>7 ?? S 3H3>3@5:7 F7EF76S , G3>;8;76 8AD 5A@EG?7D >7H7> 3BB>;53F;A@MG D ON S J57>>7@F 93F7 5:3D97 J BDA6G5F !* ( D n)S 07DK >AI A@ D7E;EF3@57 D n)S * BF;?;L76 8AD :;9: EI;F5:;@9 8D7CG7@5K 5A@H7DF7DS 'AI B3D3E;F;5 ;@6G5F3@57S A

 9.1. Size:1520K  infineon
 bsf050n03lq3g.pdf pdf_icon

BSF053N03LTG

n-Channel Power MOSFETOptiMOSBSF050N03LQ3 G Data Sheet2.2, 2009-05-11Final Industrial & MultimarketOptiMOS Power-MOSFETBSF050N03LQ3 G1 DescriptionOptiMOS30V products are class leading power MOSFETs for highest powerdensity and energy efficient solutions. Ultra low gate- and output charges togetherwith lowest on state resistance in small footprint packages make

Другие MOSFET... BSC520N15NS3G , BSC600N25NS3G , BSC750N10NDG , BSC900N20NS3G , BSD223P , BSD314SPE , BSF024N03LT3G , BSF050N03LQ3G , IRLZ44N , BSF083N03LQG , BSL207SP , BSL211SP , BSL215P , BSL307SP , BSL308PE , BSL314PE , BSL315P .

History: AP80SL650AI | 2SK3604-01S

 

 
Back to Top

 


 
.