BSF053N03LTG MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: BSF053N03LTG
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.2 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 16 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 4 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 700 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0053 Ohm
Тип корпуса: WDSON2
Аналог (замена) для BSF053N03LTG
BSF053N03LTG Datasheet (PDF)
bsf053n03lt g.pdf
& " ' $;B1= !#& '$=;0@/? &@99-=DFeaturesD S +4 8D77 B>3F;@9 - A#. 5A?B>;3@F m D n) m xS G3> E;676 5AA>;@9 71 DS 'AI BDA8;>7 ?? S 3H3>3@5:7 F7EF76S , G3>;8;76 8AD 5A@EG?7D >7H7> 3BB>;53F;A@MG D ON S J57>>7@F 93F7 5:3D97 J BDA6G5F !* ( D n)S 07DK >AI A@ D7E;EF3@57 D n)S * BF;?;L76 8AD :;9: EI;F5:;@9 8D7CG7@5K 5A@H7DF7DS 'AI B3D3E;F;5 ;@6G5F3@57S A
bsf050n03lq3g.pdf
n-Channel Power MOSFETOptiMOSBSF050N03LQ3 G Data Sheet2.2, 2009-05-11Final Industrial & MultimarketOptiMOS Power-MOSFETBSF050N03LQ3 G1 DescriptionOptiMOS30V products are class leading power MOSFETs for highest powerdensity and energy efficient solutions. Ultra low gate- and output charges togetherwith lowest on state resistance in small footprint packages make
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918