APT5017BVR. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: APT5017BVR

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 370 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 14 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 600 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.17 Ohm

Тип корпуса: TO247

Аналог (замена) для APT5017BVR

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

APT5017BVR даташит

 ..1. Size:60K  apt
 apt5017bvr.pdf pdf_icon

APT5017BVR

APT5017BVR 500V 30A 0.170 POWER MOS V Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement TO-247 mode power MOSFETs. This new technology minimizes the JFET effect, increases packing density and reduces the on-resistance. Power MOS V also achieves faster switching speeds through optimized gate layout. D Faster Switching 100% Avalanche Tested Lower

 ..2. Size:375K  inchange semiconductor
 apt5017bvr.pdf pdf_icon

APT5017BVR

isc N-Channel MOSFET Transistor APT5017BVR FEATURES Drain Current I =30A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V =500V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R =0.17 (Max) DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION Designed for use in switch mode power supplies and general purpo

 5.1. Size:62K  apt
 apt5017bvfr.pdf pdf_icon

APT5017BVR

APT5017BVFR 500V 30A 0.170 POWER MOS V FREDFET Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement TO-247 mode power MOSFETs. This new technology minimizes the JFET effect, increases packing density and reduces the on-resistance. Power MOS V also achieves faster switching speeds through optimized gate layout. Fast Recovery Body Diode 100% Avalanche Test

 5.2. Size:375K  inchange semiconductor
 apt5017bvfr.pdf pdf_icon

APT5017BVR

isc N-Channel MOSFET Transistor APT5017BVFR FEATURES Drain Current I =30A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V =500V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R =0.17 (Max) DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION Designed for use in switch mode power supplies and general purp

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... APT5010JVR, APT5010LVFR, APT5010LVR, APT5012WVR, APT5014B2VR, APT5014LVR, APT5015BVR, APT5017BVFR, 12N60, APT5017SVR, APT5019HVR, APT5020BN, APT5020BVFR, APT5020BVR, APT5020SVFR, APT5020SVR, APT5022AVR