BSF083N03LQG - описание и поиск аналогов

 

BSF083N03LQG. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BSF083N03LQG

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 3.2 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 430 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0083 Ohm

Тип корпуса: WDSON2

Аналог (замена) для BSF083N03LQG

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BSF083N03LQG даташит

 3.1. Size:561K  infineon
 bsf083n03lq g.pdf pdf_icon

BSF083N03LQG

' " % $ !#' ( $>E Features D S * BF;?;L76 8AD ;9 EI;F5 ;@9 8D7CG7@5K 5A@H7DF7D m D n) m x S 07DK >AI A@ D7E;EF3@57 D n) D S J57>>7@F 93F7 5 3D97 J BDA6G5F !* ( D n) S 'AI BDA8;>7 ?? S AG4>7 E;676 5AA>;@9 MG D ON S 'AI B3D3E;F;5 ;@6G5F3@57 S 3H3>3@5 7 F7EF76 S , G3>;8;76 8AD 5A@EG?7D >7H7> 3BB>;53F;A@ S A?B3F;4>7 I;F ;D75F! /V B35=397 ., 8AAF

Другие MOSFET... BSC600N25NS3G , BSC750N10NDG , BSC900N20NS3G , BSD223P , BSD314SPE , BSF024N03LT3G , BSF050N03LQ3G , BSF053N03LTG , IRF530 , BSL207SP , BSL211SP , BSL215P , BSL307SP , BSL308PE , BSL314PE , BSL315P , BSO604NS2 .

History: KP501A | ZDS020N60

 

 

 

 

↑ Back to Top
.