BSO072N03S. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: BSO072N03S
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.56 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 5.4 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 865 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0068 Ohm
Тип корпуса: SO8
Аналог (замена) для BSO072N03S
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
BSO072N03S даташит
bso072n03s g.pdf
BSO072N03S C "9@/; %;+877+;B Features V DS Q 2CD CG D49 ?8 ') - . 7@B -'*- m DS(on) max Q ) AD > J65 D649?@=@8I 7@B ?@D63@@2= B6C CD2?46 Q F2=2?496 B
bso072n03s.pdf
BSO072N03S www.VBsemi.tw N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET 0.008 at VGS = 10 V 13 30 6.1 nC Optimized for High-Side Synchronous 0.011 at VGS = 4.5 V 11 Rectifier Operation 100 % Rg Tested 100 % UIS Tested APPLICATIONS Notebook CPU Core - High-Side Switch
Другие MOSFET... BSL315P , BSO604NS2 , BSO033N03MSG , BSO040N03MSG , BSO051N03MSG , BSO052N03S , BSO064N03S , BSO065N03MSG , RFP50N06 , BSO080P03NS3G , BSO080P03NS3EG , BSO080P03SH , BSO083N03MSG , BSO094N03S , BSO110N03MSG , BSO119N03S , BSO130N03MSG .
History: PSMN4R3-100PS | PSMN4R3-100ES | FQA32N20C
History: PSMN4R3-100PS | PSMN4R3-100ES | FQA32N20C
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUN084N10 | AUN065N10 | AUN063N10 | AUN062N08BG | AUN060N08AG | AUN053N10 | AUN050N08BGL | AUN045N085 | AUN042N055 | AUN036N10 | AUD069N10A | AUD062N08BG | AUD060N08AG | AUD060N055 | AUD056N08BGL | AUB062N08BG
Popular searches
tip41c replacement | b772m transistor | mj15003g datasheet | irfp460n datasheet | mj15025g | ksa1381 replacement | m3056m mosfet | skd502t mosfet


