BSO072N03S - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: BSO072N03S
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.56 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 5.4 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 865 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0068 Ohm
Тип корпуса: SO8
Аналог (замена) для BSO072N03S
BSO072N03S Datasheet (PDF)
bso072n03s g.pdf

BSO072N03S C "9@/; %;+877+;BFeatures VDSQ 2CD CG:D49:?8 ') - . 7@B -'*- m DS(on) maxQ ) AD:>:J65 D649?@=@8I 7@B ?@D63@@2= B6C:CD2?46Q F2=2?496 B
bso072n03s.pdf

BSO072N03Swww.VBsemi.twN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.008 at VGS = 10 V 1330 6.1 nC Optimized for High-Side Synchronous0.011 at VGS = 4.5 V 11Rectifier Operation 100 % Rg Tested 100 % UIS TestedAPPLICATIONS Notebook CPU Core- High-Side Switch
Другие MOSFET... BSL315P , BSO604NS2 , BSO033N03MSG , BSO040N03MSG , BSO051N03MSG , BSO052N03S , BSO064N03S , BSO065N03MSG , IRF2807 , BSO080P03NS3G , BSO080P03NS3EG , BSO080P03SH , BSO083N03MSG , BSO094N03S , BSO110N03MSG , BSO119N03S , BSO130N03MSG .
History: 4N65G-TMS-T | BSF083N03LQG | 4N60L-TF1-T | JMSH1008AG | AP13P15GP | SW4N70B | RUH120N140S
History: 4N65G-TMS-T | BSF083N03LQG | 4N60L-TF1-T | JMSH1008AG | AP13P15GP | SW4N70B | RUH120N140S



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
Popular searches
tip41c replacement | b772m transistor | mj15003g datasheet | irfp460n datasheet | mj15025g | ksa1381 replacement | m3056m mosfet | skd502t mosfet