BSO072N03S - описание и поиск аналогов

 

BSO072N03S. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BSO072N03S

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.56 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 5.4 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 865 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0068 Ohm

Тип корпуса: SO8

Аналог (замена) для BSO072N03S

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BSO072N03S даташит

 ..1. Size:653K  infineon
bso072n03s g.pdfpdf_icon

BSO072N03S

BSO072N03S C "9@/; %;+877+;B Features V DS Q 2CD CG D49 ?8 ') - . 7@B -'*- m DS(on) max Q ) AD > J65 D649?@=@8I 7@B ?@D63@@2= B6C CD2?46 Q F2=2?496 B

 ..2. Size:742K  cn vbsemi
bso072n03s.pdfpdf_icon

BSO072N03S

BSO072N03S www.VBsemi.tw N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET 0.008 at VGS = 10 V 13 30 6.1 nC Optimized for High-Side Synchronous 0.011 at VGS = 4.5 V 11 Rectifier Operation 100 % Rg Tested 100 % UIS Tested APPLICATIONS Notebook CPU Core - High-Side Switch

Другие MOSFET... BSL315P , BSO604NS2 , BSO033N03MSG , BSO040N03MSG , BSO051N03MSG , BSO052N03S , BSO064N03S , BSO065N03MSG , RFP50N06 , BSO080P03NS3G , BSO080P03NS3EG , BSO080P03SH , BSO083N03MSG , BSO094N03S , BSO110N03MSG , BSO119N03S , BSO130N03MSG .

History: PSMN4R3-100PS | PSMN4R3-100ES | FQA32N20C

 

 

 

 

↑ Back to Top
.