BSP170P Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: BSP170P
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.8 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.9 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 10 nC
trⓘ - Время нарастания: 30 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 105 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.3 Ohm
Тип корпуса: SOT223
BSP170P Datasheet (PDF)
bsp170p.pdf

Preliminary dataBSP 170 PSIPMOS Small-Signal-TransistorFeaturesProduct Summary P-Channel Drain source voltage VDS -60 V Enhancement modeDrain-Source on-state resistance RDS(on) 0.3 Avalanche rated Continuous drain current ID -1.9 A dv/dt rated4321VPS05163Type Package Ordering Code Pin 1 Pin 2/4 PIN 3BSP 170 P SOT-223 Q67041-S4018 G D SMaximu
bsp170p.pdf

BSP170Pwww.VBsemi.twP-Channel 60-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) 100 % UIS Tested0.055 at VGS = - 10 V - 7.0APPLICATIONS- 60 30 nC0.065 at VGS = - 4.5 V - 6.0 Load SwitchSSOT-223GDSDGDP-Channel MOSFETABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C, unless otherwise noted)Paramete
bsp170p2.pdf

BSP170PSIPMOS Small-Signal-TransistorProduct SummaryFeaturesV -60 VDS P-ChannelR 0.3DS(on),max Enhancement modeI -1.9 AD Avalanche rated dv /dt ratedPG-SOT223 Pb-free lead plating; RoHS compliant Qualified according to AEC Q101 Type Package Tape and reel information Marking Lead free PackingBSP170P PG-SOT223 L6327: 1000pcs/reel BSP170
bsp17.pdf

BSP 17SIPMOS Small-Signal Transistor N channel Enhancement mode Avalanche rated VGS(th)= 2.1 ... 4.0 VPin 1 Pin 2 Pin 3 Pin 4G D S DType VDS ID RDS(on) Package MarkingBSP 17 50 V 3.2 A 0.1 SOT-223 BSP 17Type Ordering Code Tape and Reel InformationBSP 17 Q67000-S220 E6327Maximum RatingsParameter Symbol Values UnitContinuous drain current ID ATA =
Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
History: IPS110N12N3 | 2SK3030 | HM18N40A | CED740A | IXFX120N65X2 | TK60S06K3L | DMN3015LSD
History: IPS110N12N3 | 2SK3030 | HM18N40A | CED740A | IXFX120N65X2 | TK60S06K3L | DMN3015LSD



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: DHF10H035R | DHF100N03B13 | DHF035N04 | DHEZ24B31 | DHESJ17N65 | DHESJ13N65 | DHESJ11N65 | DHE9Z24 | DHE90N055R | DHE90N045R | DHE85N08 | DHE8290 | DHE80N08B22 | DHE8004 | DHE50N15 | DHE50N06FZC
Popular searches
c2389 transistor | c2634 transistor | mdp1991 datasheet | 40636 transistor | ao3407 datasheet | c1841 transistor | fb42n20d | irfb3306 equivalent