BSS83P MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: BSS83P
Маркировка: YAs
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.36 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.33 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 2.38 nC
trⓘ - Время нарастания: 71 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 19 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2 Ohm
Тип корпуса: SOT23
BSS83P Datasheet (PDF)
bss83p .pdf
BSS 83 PSIPMOS Small-Signal-TransistorFeaturesProduct Summary P-ChannelDrain source voltage VDS -60 V Enhancement modeDrain-source on-state resistance RDS(on) 2 Avalanche ratedContinuous drain current ID -0.33 A Logic Level3 dv/dt rated21VPS05161Type Package Tape and Reel Marking Pin 1 PIN 2 PIN 3BSS 83 P PG-SOT-23 L6327: 3000pcs/r. G S DYAsMaximum Ratin
bss83p.pdf
Preliminary dataBSS 83 PSIPMOS Small-Signal-TransistorFeaturesProduct Summary P-ChannelDrain source voltage VDS -60 V Enhancement modeDrain-source on-state resistance RDS(on) 2 Avalanche ratedContinuous drain current ID -0.33 A Logic Level3 dv/dt rated21VPS05161Type Package Ordering Code Marking Pin 1 PIN 2 PIN 3BSS 83 P SOT-23 Q67041-S1416 YAs G S DMaxi
bss83 cnv 2.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETBSS83MOSFET N-channel enhancementswitching transistorApril 1991Product specificationFile under Discrete Semiconductors, SC07Philips Semiconductors Product specificationMOSFET N-channel enhancement switching transistor BSS83DESCRIPTION Marking code:Symmetrical insulated-gate silicon BSS83 = M74MOS field-effect transistor of theN-channel
bss83 n.pdf
BSS83MOSFET N-channel enhancement switching transistorRev. 03 21 November 2007 Product data sheetIMPORTANT NOTICEDear customer,As from October 1st, 2006 Philips Semiconductors has a new trade name- NXP Semiconductors, which will be used in future data sheets together with new contactdetails.In data sheets where the previous Philips references remain, please use the new links
Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRFP250N , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918