Справочник MOSFET. BSZ100N06LS3G

 

BSZ100N06LS3G MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: BSZ100N06LS3G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 58 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 500 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.01 Ohm
   Тип корпуса: TSDSON8

 Аналог (замена) для BSZ100N06LS3G

 

 

BSZ100N06LS3G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:467K  infineon
 bsz100n06ls3 bsz100n06ls3g.pdf

BSZ100N06LS3G BSZ100N06LS3G

%* ! % TM #;B 1= &=-:>5>?;=#=;0@/? %@9 9 -=DFeaturesD R #562= 7@C 9:89 7C6BF6?4J DH:E49:?8 2?5 DJ?4 C64 1 m D n) m xR ) AE:>:K65 E649?@=@8J 7@C 4@?G6CE6CDDR I46==6?E 82E6 492C86 I AC@5F4E ) ' D n)R ( 492??6= =@8:4 =6G6=R 2G2=2?496 E6DE65R *3 7C66 A=2E:?8 , @"- 4@>A=:2?E1)R + F2=:7:65 244@C5:?8 E@ $ 7@C E2C86E 2AA=:42E:@?DR "2=@86? 7C66 244@C5:?8 E@ # Ty

 5.1. Size:691K  infineon
 bsz100n06ns.pdf

BSZ100N06LS3G BSZ100N06LS3G

TypeBSZ100N06NSOptiMOSTM Power-TransistorFeaturesProduct Summary Optimized for high performance SMPS, e.g. sync. rec.VDS 60 V 100% avalanche testedRDS(on),max 10 mW Superior thermal resistanceID A 40 N-channelQOSS nC 14 Qualified according to JEDEC1) for target applicationsQG(0V..10V) nC 12 Pb-free lead plating; RoHS compliantPG-TS

 6.1. Size:628K  infineon
 bsz100n03msg.pdf

BSZ100N06LS3G BSZ100N06LS3G

$) $ " $?88,S 07DK >AI A@ D7E;EF3@57 0D n) G S J57>>7@F 93F7 5:3D97 J BDA6G5F !* ( D n)1)S , G3>;8;76 355AD6;@9 FA % 8AD F3D97F 3BB>;53F;A@ES .GB7D;AD

 6.2. Size:631K  infineon
 bsz100n03lsg.pdf

BSZ100N06LS3G BSZ100N06LS3G

%* ! % E #;B 1= "% &#=;0@/? %@9 9 -=DFeaturesD Q 2CD CG:D49:?8 ') - . 7@B -'*- 1 m D n) m x 4 Q ) AD:>:J65 D649?@=@8I 7@B 4@?F6BD6BC D1) G D ON Q + E2=:7:65 244@B5:?8 D@ $ 7@B D2B86D 2AA=:42D:@?CQ ( 492??6= &@8:4 =6F6=Q H46==6?D 82D6 492B86 H AB@5E4D ) ' D n)Q -EA6B:@B D96B>2= B6C:CD2?46Q F2=2?496 B2D65Q *3 7B66 A=2D:?8 , @"- 4@>A=:2?DQ "2=@86? 7B66

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

 

 
Back to Top