Справочник MOSFET. BSZ110N06NS3G

 

BSZ110N06NS3G Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: BSZ110N06NS3G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 77 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 440 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.011 Ohm
   Тип корпуса: TSDSON8
 

 Аналог (замена) для BSZ110N06NS3G

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BSZ110N06NS3G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:459K  infineon
 bsz110n06ns3 bsz110n06ns3g.pdf pdf_icon

BSZ110N06NS3G

pe $) $ TM ":A 03 B53 R 11 m D n) m xQ ( @D9=9J54 D538>?F5BD5BCI DQ H35>5?B=1

 6.1. Size:1359K  infineon
 bsz110n08ns5.pdf pdf_icon

BSZ110N06NS3G

MOSFETMetal Oxide Semiconductor Field Effect TransistorOptiMOSTMOptiMOS5 Power-Transistor, 80 VBSZ110N08NS5Data SheetRev. 2.1FinalPower Management & MultimarketOptiMOS5 Power-Transistor, 80 VBSZ110N08NS5TSDSON-8 FL1 Description(enlarged source interconnection)Features Ideal for high frequency switching and sync. rec. Optimized technology for DC/DC conv

Другие MOSFET... BSZ088N03LSG , BSZ088N03MSG , BSZ0909NS , BSZ097N04LSG , BSZ100N03LSG , BSZ100N03MSG , BSZ100N06LS3G , BSZ105N04NSG , IRFB3607 , BSZ120P03NS3G , BSZ120P03NS3EG , BSZ123N08NS3G , BSZ12DN20NS3G , BSZ130N03LSG , BSZ130N03MSG , BSZ160N10NS3G , BSZ165N04NSG .

History: IRF7811AVPBF-1 | SQ2360EES

 

 
Back to Top

 


 
.