BSZ110N06NS3G - описание и поиск аналогов

 

BSZ110N06NS3G. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BSZ110N06NS3G

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 77 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 440 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.011 Ohm

Тип корпуса: TSDSON8

Аналог (замена) для BSZ110N06NS3G

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BSZ110N06NS3G даташит

 ..1. Size:459K  infineon
 bsz110n06ns3 bsz110n06ns3g.pdf pdf_icon

BSZ110N06NS3G

pe $) $ TM " A 03 B53 R 11 m D n) m x Q ( @D9=9J54 D538>?F5BD5BC I D Q H35>5?B=1

 6.1. Size:1359K  infineon
 bsz110n08ns5.pdf pdf_icon

BSZ110N06NS3G

MOSFET Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor OptiMOSTM OptiMOS 5 Power-Transistor, 80 V BSZ110N08NS5 Data Sheet Rev. 2.1 Final Power Management & Multimarket OptiMOS 5 Power-Transistor, 80 V BSZ110N08NS5 TSDSON-8 FL 1 Description (enlarged source interconnection) Features Ideal for high frequency switching and sync. rec. Optimized technology for DC/DC conv

Другие MOSFET... BSZ088N03LSG , BSZ088N03MSG , BSZ0909NS , BSZ097N04LSG , BSZ100N03LSG , BSZ100N03MSG , BSZ100N06LS3G , BSZ105N04NSG , K4145 , BSZ120P03NS3G , BSZ120P03NS3EG , BSZ123N08NS3G , BSZ12DN20NS3G , BSZ130N03LSG , BSZ130N03MSG , BSZ160N10NS3G , BSZ165N04NSG .

History: BSZ018NE2LS | MTP7N60 | LSH65R290HF

 

 

 

 

↑ Back to Top
.