APT5024BVFR. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: APT5024BVFR

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 280 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 22 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 470 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.24 Ohm

Тип корпуса: TO247

Аналог (замена) для APT5024BVFR

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

APT5024BVFR даташит

 ..1. Size:61K  apt
apt5024bvfr.pdfpdf_icon

APT5024BVFR

APT5024BVFR 500V 22A 0.240 POWER MOS V FREDFET Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement TO-247 mode power MOSFETs. This new technology minimizes the JFET effect, increases packing density and reduces the on-resistance. Power MOS V also achieves faster switching speeds through optimized gate layout. Fast Recovery Body Diode 100% Avalanche Tes

 ..2. Size:375K  inchange semiconductor
apt5024bvfr.pdfpdf_icon

APT5024BVFR

isc N-Channel MOSFET Transistor APT5024BVFR FEATURES Drain Current I =22A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V =500V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R =0.24 (Max) DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION Designed for use in switch mode power supplies and general purp

 5.1. Size:59K  apt
apt5024bvr.pdfpdf_icon

APT5024BVFR

APT5024BVR 500V 22A 0.240 POWER MOS V Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement TO-247 mode power MOSFETs. This new technology minimizes the JFET effect, increases packing density and reduces the on-resistance. Power MOS V also achieves faster switching speeds through optimized gate layout. Faster Switching 100% Avalanche Tested D Lower L

 5.2. Size:375K  inchange semiconductor
apt5024bvr.pdfpdf_icon

APT5024BVFR

isc N-Channel MOSFET Transistor APT5024BVR FEATURES Drain Current I =22A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V =500V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R =0.24 (Max) DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION Designed for use in switch mode power supplies and general purpo

Другие IGBT... APT5019HVR, APT5020BN, APT5020BVFR, APT5020BVR, APT5020SVFR, APT5020SVR, APT5022AVR, APT5024AVR, IRFP450, APT5024BVR, APT5025BN, APT5026HVR, APT5028BVR, APT5028SVR, APT5030AVR, APT5032CVR, APT5040CNR