Справочник MOSFET. BSZ16DN25NS3G

 

BSZ16DN25NS3G MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: BSZ16DN25NS3G
   Маркировка: 16DN25N
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 62.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10.9 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 8.6 nC
   trⓘ - Время нарастания: 4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 44 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.165 Ohm
   Тип корпуса: TSDSON8

 Аналог (замена) для BSZ16DN25NS3G

 

 

BSZ16DN25NS3G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:572K  infineon
 bsz16dn25ns3 bsz16dn25ns3g.pdf

BSZ16DN25NS3G BSZ16DN25NS3G

TypeBSZ16DN25NS3 GOptiMOSTM3 Power-TransistorProduct SummaryFeaturesVDS 250 V Optimized for dc-dc conversionRDS(on),max 165mW N-channel, normal levelID 10.9 A Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on) Low on-resistance RDS(on)PG-TSDSON-8 150 C operating temperature Pb-free lead plating; RoHS compliant Qualified according to JEDEC1)

 9.1. Size:489K  1
 bsz160n10ns3g.pdf

BSZ16DN25NS3G BSZ16DN25NS3G

MOSFETMetal Oxide Semiconductor Field Effect TransistorOptiMOS Power-Transistor, 100VOptiMOS 3 Power TransistorBSZ160N10NS3Data SheetRev. 2.1FinalPower Management & MultimarketBSZ160N10NS3 GOptiMOSTM3 Power-TransistorProduct Summary FeaturesVDS 100 V Ideal for high frequency switchingRDS(on),max 16 mW Optimized technology for DC/DC convertersID

 9.2. Size:452K  infineon
 bsz160n10n3sg.pdf

BSZ16DN25NS3G BSZ16DN25NS3G

%* ! !% #;B 1= &=-:>5>?;=#=;0@/? %@99-=DFeatures 1 D Q #4513I CG9D389>7 1 m D n) m xQ ( @D9=9J54 D538>?F5BD5BC 4 DQ H35>5?B=1

 9.3. Size:628K  infineon
 bsz165n04nsg.pdf

BSZ16DN25NS3G BSZ16DN25NS3G

$) $ D ":A 0

 9.4. Size:489K  infineon
 bsz160n10ns3.pdf

BSZ16DN25NS3G BSZ16DN25NS3G

MOSFETMetal Oxide Semiconductor Field Effect TransistorOptiMOS Power-Transistor, 100VOptiMOS 3 Power TransistorBSZ160N10NS3Data SheetRev. 2.1FinalPower Management & MultimarketBSZ160N10NS3 GOptiMOSTM3 Power-TransistorProduct Summary FeaturesVDS 100 V Ideal for high frequency switchingRDS(on),max 16 mW Optimized technology for DC/DC convertersID

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top