Справочник MOSFET. BSZ180P03NS3EG

 

BSZ180P03NS3EG Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: BSZ180P03NS3EG
   Маркировка: 180P3NE
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3.1 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 20 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 744 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.018 Ohm
   Тип корпуса: TSDSON8
 

 Аналог (замена) для BSZ180P03NS3EG

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BSZ180P03NS3EG Datasheet (PDF)

 ..1. Size:619K  infineon
 bsz180p03ns3eg.pdf pdf_icon

BSZ180P03NS3EG

&+ $ "& '! $ $ '>.;?6?@$>E VFeaturesDS 18R C:?8=6 ) 92??6= :? , ( m DS(on) max1)R * E2=:7:65 244@B5:?8 $ 7@B D2B86D 2AA=:42D:@?C 9.6 ADPGTSDSON8R U @A6B2D:?8 D6>A6B2DEB6R . CA64:2==I CE:D65 7@B ?@D63@@A=:2?DR , AB@D64D65R 2AA=:42D:@?C 32DD6BI >2?286>6?D =@25 CG:D49:?8R "2=@86? 7B66 244@B5:?

 2.1. Size:632K  infineon
 bsz180p03ns3g bsz180p03ns3g 21.pdf pdf_icon

BSZ180P03NS3EG

&+ $ "& '! $ $ '>.;?6?@$>E VFeaturesDS 18R C:?8=6 ) 92??6= :? , ( m DS(on) max1)R * E2=:7:65 244@B5:?8 $ 7@B D2B86D 2AA=:42D:@?C 9.6 ADPGTSDSON8R U @A6B2D:?8 D6>A6B2DEB6R . CA64:2==I CE:D65 7@B ?@D63@@A=:2?DR 2AA=:42D:@?C 32DD6BI >2?286>6?D =@25 CG:D49:?8R "2=@86? 7B66 244@B5:?8 D@ # Type

Другие MOSFET... BSZ123N08NS3G , BSZ12DN20NS3G , BSZ130N03LSG , BSZ130N03MSG , BSZ160N10NS3G , BSZ165N04NSG , BSZ16DN25NS3G , BSZ180P03NS3G , IRFP250 , BSZ22DN20NS3G , BSZ240N12NS3G , BSZ340N08NS3G , BSZ42DN25NS3G , BSZ440N10NS3G , BSZ520N15NS3G , BSZ900N15NS3G , BSZ900N20NS3G .

History: SSM09N90GW | STP6NB90 | 2SK3324

 

 
Back to Top

 


 
.