Справочник MOSFET. IPA030N10N3G

 

IPA030N10N3G Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IPA030N10N3G
   Маркировка: 030N10N
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 41 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 79 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 155 nC
   trⓘ - Время нарастания: 38 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1940 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.003 Ohm
   Тип корпуса: TO220FP
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

IPA030N10N3G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:335K  infineon
ipa030n10n3g.pdfpdf_icon

IPA030N10N3G

IPA030N10N3 GOptiMOSTM3 Power-TransistorProduct Summary FeaturesVDS 100 V N-channel, normal levelRDS(on),max 3 mW Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on)ID 79 A Very low on-resistance RDS(on) 175 C operating temperature Pb-free lead plating; RoHS compliant Qualified according to JEDEC1) for target application Ideal for high-frequen

 3.1. Size:255K  inchange semiconductor
ipa030n10n3.pdfpdf_icon

IPA030N10N3G

isc N-Channel MOSFET Transistor IPA030N10N3,IIPA030N10N3FEATURESLow drain-source on-resistance:RDS(on) 3m (max)Enhancement modeFast Switching Speed100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONDevice for use in a wide variety of applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMB

 9.1. Size:393K  infineon
ipa037n08n3g.pdfpdf_icon

IPA030N10N3G

IPA037N08N3 GOptiMOS(TM)3 Power-TransistorProduct Summary FeaturesVDS 80 V Ideal for high frequency switching and sync. rec.RDS(on),max 3.7 mW Optimized technology for DC/DC convertersID 75 A Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on) Very low on-resistance RDS(on) N-channel, normal level 100% avalanche tested Pb-free plating; RoHS compli

 9.2. Size:542K  infineon
ipa032n06n3 rev20.pdfpdf_icon

IPA030N10N3G

pe # ! ! TM #:A03 B53 m D n) m xQ ( @D9=9J54 D538>?F5BD5BC 4 DQ H35

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: IPN80R1K4P7 | WFF634 | BRD840 | SI6963BDQ | FQB3N25TM | KNU8103A | IPI120P04P4-04

 

 
Back to Top

 


 
.