Справочник MOSFET. IPA60R380C6

 

IPA60R380C6 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IPA60R380C6
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 31 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10.6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 46 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.38 Ohm
   Тип корпуса: TO220FP
 

 Аналог (замена) для IPA60R380C6

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IPA60R380C6 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1201K  infineon
ipa60r380c6.pdfpdf_icon

IPA60R380C6

MOSFET+ =L9D - PA

 ..2. Size:1368K  infineon
ipd60r380c6 ipi60r380c6 ipb60r380c6 ipp60r380c6 ipa60r380c6.pdfpdf_icon

IPA60R380C6

MOSFETMetal Oxide Semiconductor Field Effect TransistorCoolMOS C6 600V600V CoolMOS C6 Power TransistorIPx60R380C6Data SheetRev. 2.3FinalPower Management & Multimarket600V CIMOS C6 Pwer Transistr IPD60R380C6, IPI60R380C6IPB60R380C6, IPP60R380C6IPA60R380C61 DescriptinCoolMOS is a revolutionary technology for high voltage powerMOSFETs designed according

 ..3. Size:203K  inchange semiconductor
ipa60r380c6.pdfpdf_icon

IPA60R380C6

INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor IPA60R380C6FEATURESWith TO-220F packagingHigh speed switchingVery high commutation ruggednessEasy to use100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationzAPPLICATIONSPFC stages, hard switching PWM stages and resonant switchingPC Silverbox, Adapte

 5.1. Size:1282K  infineon
ipa60r380e6.pdfpdf_icon

IPA60R380C6

MOSFETMetal Oxide Semiconductor Field Effect TransistorCoolMOS E6600V CoolMOS E6 Power TransistorIPx60R380E6Data SheetRev. 2.0, 2010-04-09FinalIndustrial & Multimarket600V CoolMOS E6 Power Transistor IPP60R380E6, IPA60R380E61 DescriptionCoolMOS is a revolutionary technology for high voltage powerMOSFETs, designed according to the superjunction (SJ) principle an

Другие MOSFET... IPA60R165CP , IPA60R190C6 , IPA60R190E6 , IPA60R199CP , IPA60R250CP , IPA60R280C6 , IPA60R280E6 , IPA60R299CP , 50N06 , IPA60R380E6 , IPA60R385CP , IPA60R450E6 , IPA60R520C6 , IPA60R520CP , IPA60R520E6 , IPA60R600C6 , IPA60R600CP .

History: TPAO5404EL | HGP115N15S | AP20N15AGH | ELM16409EA | 2SK2207 | HSS3409A | TPP70R950C

 

 
Back to Top

 


 
.