IPA60R380C6 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: IPA60R380C6
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 31 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10.6 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 46 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.38 Ohm
Тип корпуса: TO220FP
Аналог (замена) для IPA60R380C6
IPA60R380C6 Datasheet (PDF)
ipd60r380c6 ipi60r380c6 ipb60r380c6 ipp60r380c6 ipa60r380c6.pdf

MOSFETMetal Oxide Semiconductor Field Effect TransistorCoolMOS C6 600V600V CoolMOS C6 Power TransistorIPx60R380C6Data SheetRev. 2.3FinalPower Management & Multimarket600V CIMOS C6 Pwer Transistr IPD60R380C6, IPI60R380C6IPB60R380C6, IPP60R380C6IPA60R380C61 DescriptinCoolMOS is a revolutionary technology for high voltage powerMOSFETs designed according
ipa60r380c6.pdf

INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor IPA60R380C6FEATURESWith TO-220F packagingHigh speed switchingVery high commutation ruggednessEasy to use100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationzAPPLICATIONSPFC stages, hard switching PWM stages and resonant switchingPC Silverbox, Adapte
ipa60r380e6.pdf

MOSFETMetal Oxide Semiconductor Field Effect TransistorCoolMOS E6600V CoolMOS E6 Power TransistorIPx60R380E6Data SheetRev. 2.0, 2010-04-09FinalIndustrial & Multimarket600V CoolMOS E6 Power Transistor IPP60R380E6, IPA60R380E61 DescriptionCoolMOS is a revolutionary technology for high voltage powerMOSFETs, designed according to the superjunction (SJ) principle an
Другие MOSFET... IPA60R165CP , IPA60R190C6 , IPA60R190E6 , IPA60R199CP , IPA60R250CP , IPA60R280C6 , IPA60R280E6 , IPA60R299CP , 50N06 , IPA60R380E6 , IPA60R385CP , IPA60R450E6 , IPA60R520C6 , IPA60R520CP , IPA60R520E6 , IPA60R600C6 , IPA60R600CP .
History: TPAO5404EL | HGP115N15S | AP20N15AGH | ELM16409EA | 2SK2207 | HSS3409A | TPP70R950C
History: TPAO5404EL | HGP115N15S | AP20N15AGH | ELM16409EA | 2SK2207 | HSS3409A | TPP70R950C



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSH0805PK | JMSH0805PG | JMSH0805PE | JMSH0805PC | JMSH0804NK | JMSH0804NG | JMSH0804NE | JMSH0804NC | JMSH0803PC | JMSH0803NGS | JMSH0803MTL | JMSH0803MG | JMSH0803ME | JMSH0803MC | JMSH0803AGS | JBE084M
Popular searches
irfb4110 | tip36c | bd139 transistor | irf840 datasheet | ge10001 | irf830 | irfp450 | mj21193