Справочник MOSFET. IPB160N04S2-03

 

IPB160N04S2-03 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IPB160N04S2-03
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 160 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 45 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 2150 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0029 Ohm
   Тип корпуса: TO263-7
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

IPB160N04S2-03 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:145K  infineon
 ipb160n04s2-03.pdf pdf_icon

IPB160N04S2-03

IPB160N04S2-03OptiMOS - T Power-TransistorProduct SummaryFeaturesV 40 VDS N-channel - Enhancement modeR 2.9mDS(on),max Automotive AEC Q101 qualifiedI 160 AD MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperature Green package (lead free)PG-TO263-7-3 Ultra low Rds(on) 100% Avalanche testedType Package Ordering Code MarkingIPB1

 3.1. Size:152K  infineon
 ipb160n04s2l-03.pdf pdf_icon

IPB160N04S2-03

IPB160N04S2L-03OptiMOS - T Power-TransistorProduct SummaryFeaturesV 40 VDS N-channel Logic Level - Enhancement modeR 2.7mDS(on),max Automotive AEC Q101 qualifiedI 160 AD MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperature Green package (lead free)PG-TO263-7-3 Ultra low Rds(on) 100% Avalanche testedType Package Ordering Code

 4.1. Size:122K  infineon
 ipb160n04s4-h1.pdf pdf_icon

IPB160N04S2-03

IPB160N04S4-H1OptiMOS-T2 Power-TransistorProduct SummaryV 40 VDSR 1.6mWDS(on)I 160 ADFeatures N-channel - Enhancement modePG-TO263-7-3 AEC qualified MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperature Green product (RoHS compliant) Ultra low Rds(on) 100% Avalanche testedType Package MarkingIPB160N04S4-H1 PG-TO263-7-3 4N04H1

 4.2. Size:162K  infineon
 ipb160n04s4-h1 ds 1 0.pdf pdf_icon

IPB160N04S2-03

IPB160N04S4-H1OptiMOS-T2 Power-TransistorProduct SummaryV 40 VDSR 1.6mDS(on)I 160 ADFeatures N-channel - Enhancement modePG-TO263-7-3 AEC qualified MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperature Green product (RoHS compliant) Ultra low Rds(on) 100% Avalanche testedType Package MarkingIPB160N04S4-H1 PG-TO263-7-3 4N04H1

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

History: IRL3103D1S | BUK9Y6R0-60E | FDD2512 | APT50M60L2VR | 4N60KG-TN3-R | AP9990GMT | JCS7N65FB

 

 
Back to Top

 


 
.