Справочник MOSFET. IPB160N04S2L-03

 

IPB160N04S2L-03 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IPB160N04S2L-03
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 160 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 51 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 2200 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0027 Ohm
   Тип корпуса: TO263-7
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

IPB160N04S2L-03 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:152K  infineon
 ipb160n04s2l-03.pdf pdf_icon

IPB160N04S2L-03

IPB160N04S2L-03OptiMOS - T Power-TransistorProduct SummaryFeaturesV 40 VDS N-channel Logic Level - Enhancement modeR 2.7mDS(on),max Automotive AEC Q101 qualifiedI 160 AD MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperature Green package (lead free)PG-TO263-7-3 Ultra low Rds(on) 100% Avalanche testedType Package Ordering Code

 3.1. Size:145K  infineon
 ipb160n04s2-03.pdf pdf_icon

IPB160N04S2L-03

IPB160N04S2-03OptiMOS - T Power-TransistorProduct SummaryFeaturesV 40 VDS N-channel - Enhancement modeR 2.9mDS(on),max Automotive AEC Q101 qualifiedI 160 AD MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperature Green package (lead free)PG-TO263-7-3 Ultra low Rds(on) 100% Avalanche testedType Package Ordering Code MarkingIPB1

 4.1. Size:122K  infineon
 ipb160n04s4-h1.pdf pdf_icon

IPB160N04S2L-03

IPB160N04S4-H1OptiMOS-T2 Power-TransistorProduct SummaryV 40 VDSR 1.6mWDS(on)I 160 ADFeatures N-channel - Enhancement modePG-TO263-7-3 AEC qualified MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperature Green product (RoHS compliant) Ultra low Rds(on) 100% Avalanche testedType Package MarkingIPB160N04S4-H1 PG-TO263-7-3 4N04H1

 4.2. Size:162K  infineon
 ipb160n04s4-h1 ds 1 0.pdf pdf_icon

IPB160N04S2L-03

IPB160N04S4-H1OptiMOS-T2 Power-TransistorProduct SummaryV 40 VDSR 1.6mDS(on)I 160 ADFeatures N-channel - Enhancement modePG-TO263-7-3 AEC qualified MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperature Green product (RoHS compliant) Ultra low Rds(on) 100% Avalanche testedType Package MarkingIPB160N04S4-H1 PG-TO263-7-3 4N04H1

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: SQJ474EP | STP80NE03L-06

 

 
Back to Top

 


 
.