IPB180N04S4-00 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: IPB180N04S4-00
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 180 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 24 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 3780 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.00098 Ohm
Тип корпуса: TO263-7
Аналог (замена) для IPB180N04S4-00
IPB180N04S4-00 Datasheet (PDF)
ipb180n04s4-00.pdf

IPB180N04S4-00OptiMOS-T2 Power-TransistorProduct SummaryVDS 40 VRDS(on) 0.98mWID 180 AFeatures N-channel - Enhancement modePG-TO263-7-3 AEC qualified MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperature Green product (RoHS compliant) Ultra low Rds(on) 100% Avalanche testedType Package MarkingIPB180N04S4-00 PG-TO263-7-3 4N0400Maxim
ipb180n04s4-00 ds 1 0.pdf

IPB180N04S4-00OptiMOS-T2 Power-TransistorProduct SummaryV 40 VDSR 0.98mDS(on)I 180 ADFeatures N-channel - Enhancement modePG-TO263-7-3 AEC qualified MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperature Green product (RoHS compliant) Ultra low Rds(on) 100% Avalanche testedType Package MarkingIPB180N04S4-00 PG-TO263-7-3 4N040
ipb180n04s4-01 ipb180n04s4-01 ds 1 0.pdf

IPB180N04S4-01OptiMOS-T2 Power-TransistorProduct SummaryV 40 VDSR 1.3mDS(on)I 180 ADFeatures N-channel - Enhancement modePG-TO263-7-3 AEC qualified MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperature Green product (RoHS compliant) Ultra low Rds(on) 100% Avalanche testedType Package MarkingIPB180N04S4-01 PG-TO263-7-3 4N0401
ipb180n04s4-h0 ipb180n04s4-h0 ds 1 0.pdf

IPB180N04S4-H0OptiMOS-T2 Power-TransistorProduct SummaryV 40 VDSR 1.1mDS(on)I 180 ADFeatures N-channel - Enhancement modePG-TO263-7-3 AEC qualified MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperature Green product (RoHS compliant) Ultra low Rds(on) 100% Avalanche testedType Package MarkingIPB180N04S4-H0 PG-TO263-7-3 4N04H0
Другие MOSFET... IPB100P03P3L-04 , IPB120N04S3-02 , IPB120N06S4-03 , IPB160N04S2-03 , IPB160N04S2L-03 , IPB160N04S3-H2 , IPB180N03S4L-H0 , IPB180N04S3-02 , IRF530 , IPB180N06S4-H1 , IPB22N03S4L-15 , IPB45N06S4-09 , IPB45N06S4L-08 , IPB45P03P4L-11 , IPB47N10S-33 , IPB47N10SL-26 , IPB50N10S3L-16 .
History: 2SK2385 | IPD530N15N3G
History: 2SK2385 | IPD530N15N3G



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
Popular searches
c945 transistor datasheet | bt137 datasheet | 2n2907a datasheet | irfz24n | bd135 | d880 | 2n5457 equivalent | 2sc945 replacement