IPB180N04S4-00 - аналоги и даташиты транзистора

 

IPB180N04S4-00 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: IPB180N04S4-00
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 180 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 24 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 3780 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.00098 Ohm
   Тип корпуса: TO263-7
 

 Аналог (замена) для IPB180N04S4-00

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IPB180N04S4-00 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:351K  infineon
 ipb180n04s4-00.pdf pdf_icon

IPB180N04S4-00

IPB180N04S4-00OptiMOS-T2 Power-TransistorProduct SummaryVDS 40 VRDS(on) 0.98mWID 180 AFeatures N-channel - Enhancement modePG-TO263-7-3 AEC qualified MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperature Green product (RoHS compliant) Ultra low Rds(on) 100% Avalanche testedType Package MarkingIPB180N04S4-00 PG-TO263-7-3 4N0400Maxim

 ..2. Size:162K  infineon
 ipb180n04s4-00 ds 1 0.pdf pdf_icon

IPB180N04S4-00

IPB180N04S4-00OptiMOS-T2 Power-TransistorProduct SummaryV 40 VDSR 0.98mDS(on)I 180 ADFeatures N-channel - Enhancement modePG-TO263-7-3 AEC qualified MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperature Green product (RoHS compliant) Ultra low Rds(on) 100% Avalanche testedType Package MarkingIPB180N04S4-00 PG-TO263-7-3 4N040

 1.1. Size:162K  infineon
 ipb180n04s4-01 ipb180n04s4-01 ds 1 0.pdf pdf_icon

IPB180N04S4-00

IPB180N04S4-01OptiMOS-T2 Power-TransistorProduct SummaryV 40 VDSR 1.3mDS(on)I 180 ADFeatures N-channel - Enhancement modePG-TO263-7-3 AEC qualified MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperature Green product (RoHS compliant) Ultra low Rds(on) 100% Avalanche testedType Package MarkingIPB180N04S4-01 PG-TO263-7-3 4N0401

 2.1. Size:162K  infineon
 ipb180n04s4-h0 ipb180n04s4-h0 ds 1 0.pdf pdf_icon

IPB180N04S4-00

IPB180N04S4-H0OptiMOS-T2 Power-TransistorProduct SummaryV 40 VDSR 1.1mDS(on)I 180 ADFeatures N-channel - Enhancement modePG-TO263-7-3 AEC qualified MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperature Green product (RoHS compliant) Ultra low Rds(on) 100% Avalanche testedType Package MarkingIPB180N04S4-H0 PG-TO263-7-3 4N04H0

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IPB100P03P3L-04 , IPB120N04S3-02 , IPB120N06S4-03 , IPB160N04S2-03 , IPB160N04S2L-03 , IPB160N04S3-H2 , IPB180N03S4L-H0 , IPB180N04S3-02 , TK10A60D , IPB180N06S4-H1 , IPB22N03S4L-15 , IPB45N06S4-09 , IPB45N06S4L-08 , IPB45P03P4L-11 , IPB47N10S-33 , IPB47N10SL-26 , IPB50N10S3L-16 .

History: TJ60S06M3L | FDMC2512SDC | KIA2N60H-252 | NVMTS0D7N04CL | IXTT1N450HV | FDMB668P | SIR878ADP

 

 
Back to Top

 


 
.