Справочник MOSFET. IPB45N06S4L-08

 

IPB45N06S4L-08 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IPB45N06S4L-08
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 71 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 16 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 45 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 2 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 840 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0079 Ohm
   Тип корпуса: TO263
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

IPB45N06S4L-08 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:170K  infineon
 ipb45n06s4l-08 ipi45n06s4l-08 ipp45n06s4l-08 ipp45n06s4l ipb45n06s4l ipi45n06s4l-08.pdf pdf_icon

IPB45N06S4L-08

IPB45N06S4L-08IPI45N06S4L-08, IPP45N06S4L-08OptiMOS-T2 Power-TransistorProduct SummaryV 60 VDSR (SMD version) 7.9mDS(on),max I 45 ADFeatures N-channel - Enhancement modePG-TO263-3-2 PG-TO262-3-1 PG-TO220-3-1 AEC Q101 qualified MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperature Green Product (RoHS compliant) 100% Avalanche tested

 4.1. Size:159K  infineon
 ipb45n06s4-09 ipi45n06s4-09 ipp45n06s4-09.pdf pdf_icon

IPB45N06S4L-08

IPB45N06S4-09IPI45N06S4-09, IPP45N06S4-09OptiMOS-T2 Power-TransistorProduct SummaryV 60 VDSR (SMD version) 9.2mDS(on),max I 45 ADFeatures N-channel - Enhancement mode AEC qualified MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperature Green Product (RoHS compliant) 100% Avalanche testedType Package MarkingIPB45N06S4-09 PG-TO263-

 5.1. Size:186K  infineon
 ipb45n06s3-16.pdf pdf_icon

IPB45N06S4L-08

IPB45N06S3-16IPI45N06S3-16, IPP45N06S3-16OptiMOS-T2 Power-TransistorProduct SummaryV 55 VDSR (SMD version) 15.4mDS(on),maxI 45 ADFeatures N-channel - Enhancement modePG-TO263-3-2 PG-TO262-3-1 PG-TO220-3-1 Automotive AEC Q101 qualified MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperature Green product (RoHS compliant) 100% Avalanch

 7.1. Size:159K  infineon
 ipp45n04s4l-08 ipb45n04s4l-08 ipi45n04s4l-08.pdf pdf_icon

IPB45N06S4L-08

IPB45N04S4L-08IPI45N04S4L-08, IPP45N04S4L-08OptiMOS-T2 Power-TransistorProduct SummaryV 40 VDSR (SMD version) 7.6mDS(on),max I 45 ADFeaturesPG-TO263-3-2 PG-TO262-3-1 PG-TO220-3-1 N-channel - Enhancement mode AEC qualified MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperature Green Product (RoHS compliant) 100% Avalanche testedTyp

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: AP1332GEU-HF | SI7913DN | RTE002P02 | MC11N005 | NVMFS5C628N | JCS5N50CT | NCEP026N10F

 

 
Back to Top

 


 
.