IPB80N08S2L-07. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IPB80N08S2L-07

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 75 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 55 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1300 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0068 Ohm

Тип корпуса: TO263

Аналог (замена) для IPB80N08S2L-07

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IPB80N08S2L-07 даташит

 ..1. Size:157K  infineon
 ipb80n08s2l-07 ipp80n08s2l-07.pdf pdf_icon

IPB80N08S2L-07

IPB80N08S2L-07 IPP80N08S2L-07 OptiMOS Power-Transistor Product Summary Features V 75 V DS N-channel Logic Level - Enhancement mode R (SMD version) 6.8 m DS(on),max Automotive AEC Q101 qualified I 80 A D MSL1 up to 260 C peak reflow 175 C operating temperature PG-TO263-3-2 PG-TO220-3-1 Green package (lead free) Ultra low Rds(on) 100% Avalanch

 4.1. Size:164K  1
 ipb80n08s2-07 ipp80n08s2-07 ipi80n08s2-07.pdf pdf_icon

IPB80N08S2L-07

IPB80N08S2-07 IPP80N08S2-07, IPI80N08S2-07 OptiMOS Power-Transistor Product Summary Features V 75 V DS N-channel - Enhancement mode R (SMD version) 7.1 m DS(on),max Automotive AEC Q101 qualified I 80 A D MSL1 up to 260 C peak reflow 175 C operating temperature PG-TO263-3-2 PG-TO220-3-1 PG-TO262-3-1 Green package (lead free) Ultra low Rds(on)

 4.2. Size:164K  infineon
 ipb80n08s2-07.pdf pdf_icon

IPB80N08S2L-07

IPB80N08S2-07 IPP80N08S2-07, IPI80N08S2-07 OptiMOS Power-Transistor Product Summary Features V 75 V DS N-channel - Enhancement mode R (SMD version) 7.1 m DS(on),max Automotive AEC Q101 qualified I 80 A D MSL1 up to 260 C peak reflow 175 C operating temperature PG-TO263-3-2 PG-TO220-3-1 PG-TO262-3-1 Green package (lead free) Ultra low Rds(on)

 4.3. Size:160K  infineon
 ipb80n08s2-07 ipp80n08s2-07 ipi80n08s2-07.pdf pdf_icon

IPB80N08S2L-07

IPB80N08S2-07 IPP80N08S2-07, IPI80N08S2-07 OptiMOS Power-Transistor Product Summary Features V 75 V DS N-channel - Enhancement mode R (SMD version) 7.1 m DS(on),max Automotive AEC Q101 qualified I 80 A D MSL1 up to 260 C peak reflow 175 C operating temperature PG-TO263-3-2 PG-TO220-3-1 PG-TO262-3-1 Green package (lead free) Ultra low Rds(on)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IPB80N06S2L-09, IPB80N06S2L-11, IPB80N06S2L-H5, IPB80N06S4-05, IPB80N06S4-07, IPB80N06S4L-05, IPB80N06S4L-07, IPB80N08S2-07, IRFB7545, IPB80P03P4-05, IPB80P03P4L-04, IPB80P03P4L-07, IPB90N04S4-02, IPB90N06S4-04, IPB90N06S4L-04, IPB009N03LG, IPB011N04LG