IPB90N04S4-02. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: IPB90N04S4-02
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 90 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 13 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 1630 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0021 Ohm
Тип корпуса: TO263
Аналог (замена) для IPB90N04S4-02
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
IPB90N04S4-02 даташит
ipi90n04s4-02 ipp90n04s4-02 ipb90n04s4-02.pdf
IPB90N04S4-02 IPI90N04S4-02, IPP90N04S4-02 OptiMOS -T2 Power-Transistor Product Summary V 40 V DS R (SMD version) 2.1 m DS(on),max I 90 A D Features PG-TO263-3-2 PG-TO262-3-1 PG-TO220-3-1 N-channel - Enhancement mode AEC qualified MSL1 up to 260 C peak reflow 175 C operating temperature Green Product (RoHS compliant) 100% Avalanche tested Type P
ipi90n06s4-04 ipp90n06s4-04 ipb90n06s4-04.pdf
IPB90N06S4-04 IPI90N06S4-04, IPP90N06S4-04 OptiMOS -T2 Power-Transistor Product Summary V 60 V DS R (SMD version) 3.7 m DS(on),max I 90 A D Features PG-TO263-3-2 PG-TO262-3-1 PG-TO220-3-1 N-channel - Enhancement mode AEC qualified MSL1 up to 260 C peak reflow 175 C operating temperature Green Product (RoHS compliant) 100% Avalanche tested Type P
ipb90n06s4l-04 ipi90n06s4l-04 ipp90n06s4l-04 ipp90n06s4l ipb90n06s4l ipi90n06s4l-04 ds 10.pdf
IPB90N06S4L-04 IPI90N06S4L-04, IPP90N06S4L-04 OptiMOS -T2 Power-Transistor Product Summary V 60 V DS R (SMD version) 3.4 m DS(on),max I 90 A D Features N-channel - Enhancement mode PG-TO263-3-2 PG-TO262-3-1 PG-TO220-3-1 AEC Q101 qualified MSL1 up to 260 C peak reflow 175 C operating temperature Green Product (RoHS compliant) 100% Avalanche tested
ipb90n06s4-04 ipi90n06s4-04 ipp90n06s4-04.pdf
IPB90N06S4-04 IPI90N06S4-04, IPP90N06S4-04 OptiMOS -T2 Power-Transistor Product Summary V 60 V DS R (SMD version) 3.7 m DS(on),max I 90 A D Features PG-TO263-3-2 PG-TO262-3-1 PG-TO220-3-1 N-channel - Enhancement mode AEC qualified MSL1 up to 260 C peak reflow 175 C operating temperature Green Product (RoHS compliant) 100% Avalanche tested Type P
Другие IGBT... IPB80N06S4-07, IPB80N06S4L-05, IPB80N06S4L-07, IPB80N08S2-07, IPB80N08S2L-07, IPB80P03P4-05, IPB80P03P4L-04, IPB80P03P4L-07, RU7088R, IPB90N06S4-04, IPB90N06S4L-04, IPB009N03LG, IPB011N04LG, IPB011N04NG, IPB015N04LG, IPB015N04NG, IPB016N06L3G
History: CS50N06P
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUP060N055 | AUP056N10 | AUP056N08BGL | AUP052N085 | AUP045N12 | AUP039N10 | AUP034N10 | AUP034N06 | AUP033N08BG | AUP026N085 | AUN084N10 | AUN065N10 | AUN063N10 | AUN062N08BG | AUN060N08AG | AUN053N10
Popular searches
ksc1845 transistor | irf630 datasheet | mpsa13 equivalent | c5198 | 2sc1969 transistor | bcy21 | s8550 datasheet | mj50ac100




