Справочник MOSFET. IPB034N06L3G

 

IPB034N06L3G Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IPB034N06L3G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 167 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 90 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 78 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1700 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0037 Ohm
   Тип корпуса: TO263
 

 Аналог (замена) для IPB034N06L3G

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IPB034N06L3G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:475K  infineon
ipb034n06l3g ipi037n06l3g ipp037n06l3g.pdfpdf_icon

IPB034N06L3G

Type IPB034N06L3 G IPI037N06L3 GIPP037N06L3 GProduct SummaryOptiMOS3 Power-TransistorV 60 VDSFeaturesR 3.4mDS(on),max (SMD) Ideal for high frequency switching and sync. rec.I 90 AD Optimized technology for DC/DC convertersprevious engineering Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on)sample codes: Very low on-resistance RDS(on)IPP04xN06

 ..2. Size:258K  inchange semiconductor
ipb034n06l3g.pdfpdf_icon

IPB034N06L3G

Isc N-Channel MOSFET Transistor IPB034N06L3GFEATURESWith To-263(D2PAK) packageLow input capacitance and gate chargeLow gate input resistance100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source

 5.1. Size:674K  infineon
ipb034n06n3.pdfpdf_icon

IPB034N06L3G

pe IPB034N06N3 G 3 Power-TransistorProduct SummaryFeaturesV D P 6?A BH>3 A53C96931C9?> =?C?A 4A9E5B 1>4 43 43 ,&),R 4 m D n) m xP G35

 6.1. Size:725K  infineon
ipp034n03lg ipb034n03lg.pdfpdf_icon

IPB034N06L3G

Type IPP034N03L GIPB034N03L G 3 Power-TransistorProduct SummaryFeaturesV 30 VDS Fast switching MOSFET for SMPSR 3.4mWDS(on),max Optimized technology for DC/DC convertersI 80 AD Qualified according to JEDEC1) for target applications N-channel, logic level Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on) Very low on-resistance RDS(on)

Другие MOSFET... IPB023N06N3G , IPB025N08N3G , IPB025N10N3G , IPB027N10N3G , IPB029N06N3G , IPB030N08N3G , IPB031NE7N3G , IPB034N03LG , AON6414A , IPB034N06N3G , IPB035N08N3G , IPB036N12N3G , IPB037N06N3G , IPB038N12N3G , IPB039N04LG , IPB039N10N3G , IPB041N04NG .

History: AM7153P | IPD082N10N3G | AM40P10-200P | VBI1101M | CS10N65FA9HD | IXTA3N60P | AOWF11S60

 

 
Back to Top

 


 
.