Справочник MOSFET. IPB049N06L3G

 

IPB049N06L3G MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: IPB049N06L3G
   Маркировка: 049N06L
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 115 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.2 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 37 nC
   trⓘ - Время нарастания: 5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1100 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0047 Ohm
   Тип корпуса: TO263

 Аналог (замена) для IPB049N06L3G

 

 

IPB049N06L3G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:683K  infineon
 ipb049n06l3g ipp052n06l3g ipp052n06l3 ipb049n06l3 ipp052n06l3 ipb052n06l3.pdf

IPB049N06L3G IPB049N06L3G

pe IPB049N06L3 G IPP052N06L3 G 3 Power-TransistorProduct SummaryFeaturesV D R #562= 7@C 9:89 7C6BF6?4J DH:E49:?8 2?5 DJ?4 C64 R 4 7 m - @? >2I -' R ) AE:>:K65 E649?@=@8J 7@C 4@?G6CE6CDI DR I46==6?E 82E6 492C86 I R AC@5F4E ) ' D n)R ( 492??6= =@8:4 =6G6=R 2G2=2?496 E6DE65R *3 7C66 A=2E:?8 , @"- 4@>A=:2?E1)R + F2=:7:65 244@C5:?8 E@ $ 7@C E2C86E 2AA=:42E:

 3.1. Size:258K  inchange semiconductor
 ipb049n06l3.pdf

IPB049N06L3G IPB049N06L3G

Isc N-Channel MOSFET Transistor IPB049N06L3FEATURESWith To-263(D2PAK) packageLow input capacitance and gate chargeLow gate input resistance100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source V

 6.1. Size:1130K  infineon
 ipb049n08n5.pdf

IPB049N06L3G IPB049N06L3G

MOSFETMetal Oxide Semiconductor Field Effect TransistorOptiMOSTMOptiMOS 5 Power-Transistor, 80 VIPB049N08N5Data SheetRev. 2.0FinalPower Management & MultimarketOptiMOS 5 Power-Transistor, 80 VIPB049N08N5DPAK1 DescriptionFeatures Ideal for high frequency switching and sync. rec. Optimized technology for DC/DC converters Excellent gate charge x R pr

 6.2. Size:205K  inchange semiconductor
 ipb049n08n5.pdf

IPB049N06L3G IPB049N06L3G

INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor IPB049N08N5FEATURESWith TO-263(D2PAK) packagingUltra-fast body diodeHigh speed switchingVery low on-resistenceEasy to use100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationzAPPLICATIONSSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)a

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: ZXMN2B01FTA

 

 
Back to Top