APT6015LVR. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: APT6015LVR

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 520 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 38 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 13 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 900 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.15 Ohm

Тип корпуса: TO264

Аналог (замена) для APT6015LVR

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

APT6015LVR даташит

 ..1. Size:62K  apt
 apt6015lvr.pdf pdf_icon

APT6015LVR

APT6015LVR 600V 38A 0.150 POWER MOS V Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement TO-264 mode power MOSFETs. This new technology minimizes the JFET effect, increases packing density and reduces the on-resistance. Power MOS V also achieves faster switching speeds through optimized gate layout.. D Faster Switching 100% Avalanche Tested Lowe

 5.1. Size:59K  apt
 apt6015lvfr.pdf pdf_icon

APT6015LVR

APT6015LVFR 600V 38A 0.150W POWER MOS V FREDFET Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement TO-264 mode power MOSFETs. This new technology minimizes the JFET effect, increases packing density and reduces the on-resistance. Power MOS V also achieves faster switching speeds through optimized gate layout. Fast Recovery Body Diode 100% Avalanche Teste

 5.2. Size:113K  apt
 apt6015b2vfrg apt6015lvfrg.pdf pdf_icon

APT6015LVR

APT6015B2VFR APT6015LVFR 600V 38A 0.150 B2VFR POWER MOS V FREDFET T-MAX TO-264 Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs. This new technology minimizes the JFET effect, increases packing density and reduces the on-resistance. Power MOS V also achieves faster switching speeds through optimized gate layout.

 5.3. Size:255K  inchange semiconductor
 apt6015lvfr.pdf pdf_icon

APT6015LVR

isc N-Channel MOSFET Transistor APT6015LVFR FEATURES Drain Current I = 38A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V =600V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R =0.15 (Max) DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION Designed for use in switch mode power supplies and general pur

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... APT50M50PVR, APT50M60JN, APT50M85JVFR, APT50M85JVR, APT6013JVR, APT6015B2VR, APT6015JN, APT6015JVR, 2N60, APT6017WVR, APT6020LVR, APT6025BVR, APT6027HVR, APT6030BN, APT6030BVR, APT6032AVR, APT6035AVR