IPB144N12N3G MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: IPB144N12N3G
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 107 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 120 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 56 A
Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
Время нарастания (tr): 9 ns
Выходная емкость (Cd): 304 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0144 Ohm
Тип корпуса: TO263
Аналог (замена) для IPB144N12N3G
IPB144N12N3G Datasheet (PDF)
ipb144n12n3g ipi147n12n3g ipp147n12n3g ipp147n12n3 ipi147n12n3 ipb144n12n3.pdf
IPB144N12N3 GIPI147N12N3 G IPP147N12N3 G 3 Power-TransistorProduct SummaryFeaturesV 1 D R ( 492??6= ?@C>2= =6G6=R 14 7 m - @? >2I R I46==6?E 82E6 492C86 I R AC@5F4E !) ' D n)I DR /6CJ =@H @? C6D:DE2?46 RD n)R U @A6C2E:?8 E6>A6C2EFC6R *3 7C66 =625 A=2E:?8 , @#- 4@>A=:2?E1)R + F2=:7:65 244@C5:?8 E@ % 7@C E2C86E 2AA=:42E:@?R $562= 7@C 9:89 7C6BF6?4J DH
ipb144n12n3g.pdf
Isc N-Channel MOSFET Transistor IPB144N12N3GFEATURESWith To-263(D2PAK) packageLow input capacitance and gate chargeLow gate input resistance100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source
ipb140n08s4-04.pdf
IPB140N08S4-04OptiMOS-T2 Power-TransistorProduct SummaryV 80 VDSR 4.2mWDS(on),maxI 140 ADFeatures N-channel - Enhancement modePG-TO263-7-3 AEC Q101 qualified MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperature Green Product (RoHS compliant) 100% Avalanche testedType Package MarkingIPB140N08S4-04 PG-TO263-7-3 4N0804Maximum ratin
ipb14n03la ipi14n03la ipp14n03la.pdf
IPB14N03LAIPI14N03LA, IPP14N03LAOptiMOS2 Power-TransistorProduct SummaryFeaturesV 25 VDS Ideal for high-frequency dc/dc convertersR (SMD version) 13.6mDS(on),max N-channelI 30 AD Logic level Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on) Very low on-resistance RDS(on)P-TO263-3-2 P-TO262-3-1 P-TO220-3-1 Superior thermal resistance
ipp147n03l-g ipb147n03l-g.pdf
Type IPP147N03L GIPB147N03L GOptiMOS3 Power-TransistorProduct SummaryFeaturesV 30 VDS Fast switching MOSFET for SMPSR 14.7mDS(on),max Optimized technology for DC/DC convertersI 20 AD Qualified according to JEDEC1) for target applications N-channel, logic level Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on) Very low on-resistance RDS(
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
