APT6025BVR. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: APT6025BVR

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 370 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 25 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 525 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.25 Ohm

Тип корпуса: TO247

Аналог (замена) для APT6025BVR

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

APT6025BVR даташит

 ..1. Size:62K  apt
 apt6025bvr.pdf pdf_icon

APT6025BVR

APT6025BVR 600V 25A 0.250 POWER MOS V Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement TO-247 mode power MOSFETs. This new technology minimizes the JFET effect, increases packing density and reduces the on-resistance. Power MOS V also achieves faster switching speeds through optimized gate layout. Faster Switching 100% Avalanche Tested D Lower L

 ..2. Size:375K  inchange semiconductor
 apt6025bvr.pdf pdf_icon

APT6025BVR

isc N-Channel MOSFET Transistor APT6025BVR FEATURES Drain Current I =25A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V =600V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R =0.25 (Max) DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION Designed for use in switch mode power supplies and general purpo

 0.1. Size:49K  apt
 apt6025bvrg.pdf pdf_icon

APT6025BVR

APT6025BVR 600V 25A 0.250 POWER MOS V Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement TO-247 mode power MOSFETs. This new technology minimizes the JFET effect, increases packing density and reduces the on-resistance. Power MOS V also achieves faster switching speeds through optimized gate layout. Faster Switching 100% Avalanche Tested D Lower L

 5.1. Size:116K  apt
 apt6025bvfrg apt6025svfrg.pdf pdf_icon

APT6025BVR

APT6025BVFR APT6025SVFR 600V 25A 0.250 POWER MOS V FREDFET D3PAK TO-247 Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs. This new technology minimizes the JFET effect, increases packing density and reduces the on-resistance. Power MOS V also achieves faster switching speeds through optimized gate layout. Fast Re

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... APT50M85JVR, APT6013JVR, APT6015B2VR, APT6015JN, APT6015JVR, APT6015LVR, APT6017WVR, APT6020LVR, 75N75, APT6027HVR, APT6030BN, APT6030BVR, APT6032AVR, APT6035AVR, APT6035BN, APT6035BVR, APT6035SVR