Справочник MOSFET. IPB180N03S4L-01

 

IPB180N03S4L-01 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IPB180N03S4L-01
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 188 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 16 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 180 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 3370 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.00105 Ohm
   Тип корпуса: TO263-7
 

 Аналог (замена) для IPB180N03S4L-01

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IPB180N03S4L-01 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:161K  infineon
 ipb180n03s4l-01 ipb180n03s4l-01 ds 1 0.pdf pdf_icon

IPB180N03S4L-01

IPB180N03S4L-01OptiMOS-T2 Power-TransistorProduct SummaryV 30 VDSR 1.05mDS(on)I 180 ADFeatures N-channel - Enhancement modePG-TO263-7-3 AEC qualified MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperature Green package (RoHS compliant) Ultra low Rds(on) 100% Avalanche testedType Package MarkingIPB180N03S4L-01 PG-TO263-7-3 4N

 1.1. Size:161K  infineon
 ipb180n03s4l-h0 ipb180n03s4l-h0 ds 1 0.pdf pdf_icon

IPB180N03S4L-01

IPB180N03S4L-H0OptiMOS-T2 Power-TransistorProduct SummaryV 30 VDSR 0.95mDS(on)I 180 ADFeatures N-channel - Enhancement modePG-TO263-7-3 AEC qualified MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperature Green package (RoHS compliant) Ultra low Rds(on) 100% Avalanche testedType Package MarkingIPB180N03S4L-H0 PG-TO263-7-3 4N

 6.1. Size:351K  infineon
 ipb180n04s4-00.pdf pdf_icon

IPB180N03S4L-01

IPB180N04S4-00OptiMOS-T2 Power-TransistorProduct SummaryVDS 40 VRDS(on) 0.98mWID 180 AFeatures N-channel - Enhancement modePG-TO263-7-3 AEC qualified MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperature Green product (RoHS compliant) Ultra low Rds(on) 100% Avalanche testedType Package MarkingIPB180N04S4-00 PG-TO263-7-3 4N0400Maxim

 6.2. Size:201K  infineon
 ipb180n08s4-02.pdf pdf_icon

IPB180N03S4L-01

IPB180N08S4-02OptiMOS-T2 Power-TransistorProduct SummaryV 80 VDSR 2.2mWDS(on),maxI 180 ADFeatures N-channel - Enhancement modePG-TO263-7-3 AEC Q101 qualified MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperature Green Product (RoHS compliant) 100% Avalanche tested Ultra low RDSon Ultra high IDType Package MarkingIPB180N08

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IPB120N06S4-H1 , IPB123N10N3G , IPB12CNE8NG , IPB136N08N3G , IPB144N12N3G , IPB147N03LG , IPB160N04S4-H1 , IPB16CN10NG , CS150N03A8 , IPB180N04S4-01 , IPB180N04S4-H0 , IPB200N15N3G , IPB200N25N3G , IPB230N06L3G , IPB260N06N3G , IPB26CN10NG , IPB320N20N3G .

History: 2SK2084STL-E | TSF840MR | IRFY340CM | AP4511GM | SLH60R080SS | LNC06R062

 

 
Back to Top

 


 
.