IPB230N06L3G. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IPB230N06L3G

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 36 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 3 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 270 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.023 Ohm

Тип корпуса: TO263

Аналог (замена) для IPB230N06L3G

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IPB230N06L3G даташит

 3.1. Size:679K  infineon
 ipp230n06l3 ipb230n06l3.pdf pdf_icon

IPB230N06L3G

pe IPB230N06L3 G IPP230N06L3 G 3 Power-Transistor Product Summary Features V D R #562= 7@C 9 89 7C6BF6?4J DH E49 ?8 2?5 DJ?4 C64 R m D n) m x R ) AE > K65 E649?@=@8J 7@C 4@?G6CE6CD I D R I46==6?E 82E6 492C86 I R AC@5F4E ) ' D n) R ( 492??6= =@8 4 =6G6= R 2G2=2?496 E6DE65 R *3 7C66 A=2E ?8 , @"- 4@>A= 2?E 1) R + F2= 7 65 244@C5 ?8 E@ $ 7@C E2C86E 2AA= 42E @?D R "2

Другие IGBT... IPB147N03LG, IPB160N04S4-H1, IPB16CN10NG, IPB180N03S4L-01, IPB180N04S4-01, IPB180N04S4-H0, IPB200N15N3G, IPB200N25N3G, 8N60, IPB260N06N3G, IPB26CN10NG, IPB320N20N3G, IPB34CN10NG, IPB45N04S4L-08, IPB50CN10NG, IPB50R140CP, IPB50R199CP