Справочник MOSFET. IPB230N06L3G

 

IPB230N06L3G Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IPB230N06L3G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 36 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 3 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 270 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.023 Ohm
   Тип корпуса: TO263
 

 Аналог (замена) для IPB230N06L3G

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IPB230N06L3G Datasheet (PDF)

 3.1. Size:679K  infineon
 ipp230n06l3 ipb230n06l3.pdf pdf_icon

IPB230N06L3G

pe IPB230N06L3 G IPP230N06L3 G 3 Power-TransistorProduct SummaryFeaturesV D R #562= 7@C 9:89 7C6BF6?4J DH:E49:?8 2?5 DJ?4 C64 R m D n) m xR ) AE:>:K65 E649?@=@8J 7@C 4@?G6CE6CDI DR I46==6?E 82E6 492C86 I R AC@5F4E ) ' D n)R ( 492??6= =@8:4 =6G6=R 2G2=2?496 E6DE65R *3 7C66 A=2E:?8 , @"- 4@>A=:2?E1)R + F2=:7:65 244@C5:?8 E@ $ 7@C E2C86E 2AA=:42E:@?DR "2

Другие MOSFET... IPB147N03LG , IPB160N04S4-H1 , IPB16CN10NG , IPB180N03S4L-01 , IPB180N04S4-01 , IPB180N04S4-H0 , IPB200N15N3G , IPB200N25N3G , K2611 , IPB260N06N3G , IPB26CN10NG , IPB320N20N3G , IPB34CN10NG , IPB45N04S4L-08 , IPB50CN10NG , IPB50R140CP , IPB50R199CP .

History: AP80SL650AI | 2SK3604-01S

 

 
Back to Top

 


 
.