Справочник MOSFET. IPB34CN10NG

 

IPB34CN10NG Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IPB34CN10NG
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 58 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 27 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 21 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 175 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.034 Ohm
   Тип корпуса: TO263
 

 Аналог (замена) для IPB34CN10NG

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IPB34CN10NG Datasheet (PDF)

 ..1. Size:854K  infineon
 ipb34cn10ng ipd33cn10ng ipi35cn10ng ipp35cn10ng ipb34cn10n ipd33cn10n ipi35cn10n ipp35cn10n.pdf pdf_icon

IPB34CN10NG

IPB34CN10N G IPD33CN10N GIPI35CN10N G IPP35CN10N GOptiMOS2 Power-TransistorProduct Summary FeaturesVDS 100 V N-channel, normal levelRDS(on),max (TO252) 33 mW Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on)ID 27 A Very low on-resistance RDS(on) 175 C operating temperature Pb-free lead plating; RoHS compliant Qualified according to JEDEC1) f

 4.1. Size:258K  inchange semiconductor
 ipb34cn10n.pdf pdf_icon

IPB34CN10NG

Isc N-Channel MOSFET Transistor IPB34CN10NFEATURESWith To-263(D2PAK) packageLow input capacitance and gate chargeLow gate input resistance100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Vo

Другие MOSFET... IPB180N04S4-01 , IPB180N04S4-H0 , IPB200N15N3G , IPB200N25N3G , IPB230N06L3G , IPB260N06N3G , IPB26CN10NG , IPB320N20N3G , IRF730 , IPB45N04S4L-08 , IPB50CN10NG , IPB50R140CP , IPB50R199CP , IPB50R250CP , IPB50R299CP , IPB530N15N3G , IPB600N25N3G .

 

 
Back to Top

 


 
.