IPB45N04S4L-08. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: IPB45N04S4L-08
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 45 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 16 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 45 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 350 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0076 Ohm
Тип корпуса: TO263
Аналог (замена) для IPB45N04S4L-08
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
IPB45N04S4L-08 даташит
ipp45n04s4l-08 ipb45n04s4l-08 ipi45n04s4l-08.pdf
IPB45N04S4L-08 IPI45N04S4L-08, IPP45N04S4L-08 OptiMOS -T2 Power-Transistor Product Summary V 40 V DS R (SMD version) 7.6 m DS(on),max I 45 A D Features PG-TO263-3-2 PG-TO262-3-1 PG-TO220-3-1 N-channel - Enhancement mode AEC qualified MSL1 up to 260 C peak reflow 175 C operating temperature Green Product (RoHS compliant) 100% Avalanche tested Typ
ipb45n06s3-16.pdf
IPB45N06S3-16 IPI45N06S3-16, IPP45N06S3-16 OptiMOS -T2 Power-Transistor Product Summary V 55 V DS R (SMD version) 15.4 m DS(on),max I 45 A D Features N-channel - Enhancement mode PG-TO263-3-2 PG-TO262-3-1 PG-TO220-3-1 Automotive AEC Q101 qualified MSL1 up to 260 C peak reflow 175 C operating temperature Green product (RoHS compliant) 100% Avalanch
ipb45n06s4-09 ipi45n06s4-09 ipp45n06s4-09.pdf
IPB45N06S4-09 IPI45N06S4-09, IPP45N06S4-09 OptiMOS -T2 Power-Transistor Product Summary V 60 V DS R (SMD version) 9.2 m DS(on),max I 45 A D Features N-channel - Enhancement mode AEC qualified MSL1 up to 260 C peak reflow 175 C operating temperature Green Product (RoHS compliant) 100% Avalanche tested Type Package Marking IPB45N06S4-09 PG-TO263-
ipb45n06s4l-08 ipi45n06s4l-08 ipp45n06s4l-08 ipp45n06s4l ipb45n06s4l ipi45n06s4l-08.pdf
IPB45N06S4L-08 IPI45N06S4L-08, IPP45N06S4L-08 OptiMOS -T2 Power-Transistor Product Summary V 60 V DS R (SMD version) 7.9 m DS(on),max I 45 A D Features N-channel - Enhancement mode PG-TO263-3-2 PG-TO262-3-1 PG-TO220-3-1 AEC Q101 qualified MSL1 up to 260 C peak reflow 175 C operating temperature Green Product (RoHS compliant) 100% Avalanche tested
Другие IGBT... IPB180N04S4-H0, IPB200N15N3G, IPB200N25N3G, IPB230N06L3G, IPB260N06N3G, IPB26CN10NG, IPB320N20N3G, IPB34CN10NG, STP65NF06, IPB50CN10NG, IPB50R140CP, IPB50R199CP, IPB50R250CP, IPB50R299CP, IPB530N15N3G, IPB600N25N3G, IPB60R099C6
History: BRCS080N04YB
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUP060N055 | AUP056N10 | AUP056N08BGL | AUP052N085 | AUP045N12 | AUP039N10 | AUP034N10 | AUP034N06 | AUP033N08BG | AUP026N085 | AUN084N10 | AUN065N10 | AUN063N10 | AUN062N08BG | AUN060N08AG | AUN053N10
Popular searches
bd136 | tl431 datasheet | 2sd526 | 2n4403 transistor equivalent | 2sc1318 | 2n3055 transistor equivalent | 2sc1740 | c3229




