IPB60R385CP. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IPB60R385CP

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 83 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 38 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.385 Ohm

Тип корпуса: TO263

Аналог (замена) для IPB60R385CP

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IPB60R385CP даташит

 ..1. Size:589K  infineon
ipb60r385cp.pdfpdf_icon

IPB60R385CP

IPB60R385CP C IMOSTM # A0

 ..2. Size:258K  inchange semiconductor
ipb60r385cp.pdfpdf_icon

IPB60R385CP

Isc N-Channel MOSFET Transistor IPB60R385CP FEATURES With To-263(D2PAK) package Low input capacitance and gate charge Low gate input resistance 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Drain-Source V

 6.1. Size:1211K  infineon
ipb60r380c6.pdfpdf_icon

IPB60R385CP

MOSFET + =L9D - PA

 6.2. Size:1368K  infineon
ipd60r380c6 ipi60r380c6 ipb60r380c6 ipp60r380c6 ipa60r380c6.pdfpdf_icon

IPB60R385CP

MOSFET Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor CoolMOS C6 600V 600V CoolMOS C6 Power Transistor IPx60R380C6 Data Sheet Rev. 2.3 Final Power Management & Multimarket 600V C IMOS C6 P wer Transist r IPD60R380C6, IPI60R380C6 IPB60R380C6, IPP60R380C6 IPA60R380C6 1 Descripti n CoolMOS is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs designed according

Другие IGBT... IPB60R190C6, IPB60R199CP, IPB60R199CPA, IPB60R250CP, IPB60R280C6, IPB60R299CP, IPB60R299CPA, IPB60R380C6, IRF840, IPB60R520CP, IPB60R600C6, IPB60R600CP, IPB60R950C6, IPB65R280C6, IPB65R280E6, IPB65R380C6, IPB65R600C6