IPD26N06S2L-35 - аналоги и даташиты транзистора

 

IPD26N06S2L-35 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: IPD26N06S2L-35
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 68 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 55 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 178 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.035 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для IPD26N06S2L-35

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IPD26N06S2L-35 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:149K  infineon
 ipd26n06s2l-35.pdf pdf_icon

IPD26N06S2L-35

IPD26N06S2L-35OptiMOS Power-TransistorProduct SummaryFeaturesV 55 VDS N-channel Logic Level - Enhancement modeR (SMD version) 35mDS(on),max Automotive AEC Q101 qualifiedI 30 AD MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperaturePG-TO252-3-11 Green package (lead free) Ultra low Rds(on) 100% Avalanche testedType Package Markin

Другие MOSFET... IPB80N04S4-03 , IPD100N04S4-02 , IPD100N06S4-03 , IPD14N06S2-80 , IPD15N06S2L-64 , IPD22N08S2L-50 , IPD25N06S2-40 , IPD25N06S4L-30 , P55NF06 , IPD30N03S2L-07 , IPD30N03S2L-10 , IPD30N03S2L-20 , IPD30N03S4L-09 , IPD30N03S4L-14 , IPD30N06S2-15 , IPD30N06S2-23 , IPD30N06S2L-13 .

History: P3506DT | CHM0410JGP | NCE8205B

 

 
Back to Top

 


 
.