IPD26N06S2L-35. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IPD26N06S2L-35

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 68 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 55 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 178 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.035 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для IPD26N06S2L-35

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IPD26N06S2L-35 даташит

 ..1. Size:149K  infineon
 ipd26n06s2l-35.pdf pdf_icon

IPD26N06S2L-35

IPD26N06S2L-35 OptiMOS Power-Transistor Product Summary Features V 55 V DS N-channel Logic Level - Enhancement mode R (SMD version) 35 m DS(on),max Automotive AEC Q101 qualified I 30 A D MSL1 up to 260 C peak reflow 175 C operating temperature PG-TO252-3-11 Green package (lead free) Ultra low Rds(on) 100% Avalanche tested Type Package Markin

Другие IGBT... IPB80N04S4-03, IPD100N04S4-02, IPD100N06S4-03, IPD14N06S2-80, IPD15N06S2L-64, IPD22N08S2L-50, IPD25N06S2-40, IPD25N06S4L-30, P55NF06, IPD30N03S2L-07, IPD30N03S2L-10, IPD30N03S2L-20, IPD30N03S4L-09, IPD30N03S4L-14, IPD30N06S2-15, IPD30N06S2-23, IPD30N06S2L-13