Справочник MOSFET. IPD40N03S4L-08

 

IPD40N03S4L-08 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: IPD40N03S4L-08
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 42 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 16 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 1 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 320 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0083 Ohm
   Тип корпуса: TO252

 Аналог (замена) для IPD40N03S4L-08

 

 

IPD40N03S4L-08 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:239K  infineon
 ipd40n03s4l-08 ipd40n03s4l-08 ds 1 1.pdf

IPD40N03S4L-08 IPD40N03S4L-08

IPD40N03S4L-08OptiMOS-T2 Power-TransistorProduct SummaryV 30 VDSR 8.3mWDS(on),maxI 40 ADFeaturesPG-TO252-3-11 N-channel - Enhancement mode Automotive AEC Q101 qualified MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperature Green product (RoHS compliant) 100% Avalanche testedType Package MarkingIPD40N03S4L-08 PG-TO252-3-11 4N03L08M

 9.1. Size:992K  infineon
 ipd400n06ng.pdf

IPD40N03S4L-08 IPD40N03S4L-08

$ " " $;B1= '=-:>5>?;=$=;0@/? &@99-=DFeaturesD O >@ 50AB AE8B278=6 2>=D4@B4@A 0=3 AG=2 @42B85820B8>= 4 mWD n) m xO ' 270==4; 4=70=24@?4@0B8=6 B4"+ 2> 0B R C=;4AA >B74@E8A4 A?

 9.2. Size:885K  infineon
 ipd40dp06nm.pdf

IPD40N03S4L-08 IPD40N03S4L-08

IPD40DP06NMMOSFETD-PAKOptiMOSTM Power Transistor, -60 VFeaturestab P-Channel Very low on-resistance RDS(on) 100% avalanche tested Normal Level Enhancement mode1 Pb-free lead plating; RoHS compliant3 Halogen-free according to IEC61249-2-21Product validationFully qualified according to JEDEC for Industrial ApplicationsDraintabTable 1 Ke

 9.3. Size:241K  inchange semiconductor
 ipd400n06n.pdf

IPD40N03S4L-08 IPD40N03S4L-08

isc N-Channel MOSFET Transistor IPD400N06N,IIPD400N06NFEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on)40mEnhancement mode:100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONFast switchingABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Voltage 60 VDSSV Ga

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top