Справочник MOSFET. IPD50N06S4L-08

 

IPD50N06S4L-08 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IPD50N06S4L-08
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 71 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 16 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 2 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 840 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0078 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для IPD50N06S4L-08

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IPD50N06S4L-08 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:162K  infineon
 ipd50n06s4l-08 ipd50n06s4l-08 ds 10.pdf pdf_icon

IPD50N06S4L-08

IPD50N06S4L-08OptiMOS-T2 Power-TransistorProduct SummaryV 60 VDSR 7.8mDS(on),maxI 50 ADFeaturesPG-TO252-3-11 N-channel - Enhancement mode AEC Q101 qualified MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperature Green Product (RoHS compliant) 100% Avalanche testedType Package MarkingIPD50N06S4L-08 PG-TO252-3-11 4N06L08Maximum ra

 2.1. Size:163K  infineon
 ipd50n06s4l-12 ipd50n06s4l-12 ds 10.pdf pdf_icon

IPD50N06S4L-08

IPD50N06S4L-12OptiMOS-T2 Power-TransistorProduct SummaryV 60 VDSR 12mDS(on),maxI 50 ADFeaturesPG-TO252-3-11 N-channel - Enhancement mode AEC Q101 qualified MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperature Green Product (RoHS compliant) 100% Avalanche testedType Package MarkingIPD50N06S4L-12 PG-TO252-3-11 4N06L12Maximum rat

 4.1. Size:164K  infineon
 ipd50n06s4-09 ipd50n06s4-09 ds 12.pdf pdf_icon

IPD50N06S4L-08

IPD50N06S4-09OptiMOS-T2 Power-TransistorProduct SummaryV 60 VDSR 9.0mDS(on),maxI 50 ADFeaturesPG-TO252-3-11 N-channel - Enhancement mode AEC qualified MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperature Green Product (RoHS compliant) 100% Avalanche testedType Package MarkingIPD50N06S4-09 PG-TO252-3-11 4N0609Maximum ratings, a

 5.1. Size:154K  1
 ipd50n06s2l-13.pdf pdf_icon

IPD50N06S4L-08

IPD50N06S2L-13OptiMOS Power-TransistorProduct SummaryFeaturesV 55 VDS N-channel Logic Level - Enhancement modeR (SMD version) 12.7mDS(on),max Automotive AEC Q101 qualifiedI 50 AD MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperaturePG-TO252-3-11 Green package (lead free) Ultra low Rds(on) 100% Avalanche testedType Package Mark

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IPD50N03S2L-06 , IPD50N03S4L-06 , IPD50N04S3-08 , IPD50N04S3-09 , IPD50N06S2-14 , IPD50N06S2L-13 , IPF105N03LG , IPD50N06S4-09 , AON7506 , IPD50N06S4L-12 , IPD50N10S3L-16 , IPD50P03P4L-11 , IPD70N03S4L-04 , IPD70N04S3-07 , IPD70N10S3-12 , IPD70N10S3L-12 , IPD80N04S3-06 .

History: BLA1011-2 | AM4430N | PK615BMA | KU310N10F | 2SK3847K | SSM4924GM | VBZE100N03

 

 
Back to Top

 


 
.