Справочник MOSFET. IPD70N03S4L-04

 

IPD70N03S4L-04 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IPD70N03S4L-04
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 68 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 16 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 70 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 640 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0043 Ohm
   Тип корпуса: TO252
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

IPD70N03S4L-04 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:186K  infineon
 ipd70n03s4l-04.pdf pdf_icon

IPD70N03S4L-04

IPD70N03S4L-04OptiMOS-T2 Power-TransistorProduct SummaryV 30 VDSR 4.3mDS(on),maxI 70 ADFeatures N-channel - Enhancement modePG-TO252-3-11 Automotive AEC Q101 qualified MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperature Green product (RoHS compliant) Ultra low Rds(on) 100% Avalanche testedType Package MarkingIPD70N03S4L-04

 ..2. Size:186K  infineon
 ipd70n03s4l-04 ds.pdf pdf_icon

IPD70N03S4L-04

IPD70N03S4L-04OptiMOS-T2 Power-TransistorProduct SummaryV 30 VDSR 4.3mDS(on),maxI 70 ADFeatures N-channel - Enhancement modePG-TO252-3-11 Automotive AEC Q101 qualified MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperature Green product (RoHS compliant) Ultra low Rds(on) 100% Avalanche testedType Package MarkingIPD70N03S4L-04

 7.1. Size:182K  infineon
 ipd70n04s3-07 ds 1 0.pdf pdf_icon

IPD70N03S4L-04

IPD70N04S3-07OptiMOS-T Power-TransistorProduct SummaryV 40 VDSR 6.0mDS(on),maxI 82 ADFeatures N-channel - Enhancement modePG-TO252-3-11 Automotive AEC Q101 qualified MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperature Green package (RoHS compliant) 100% Avalanche testedType Package MarkingIPD70N04S3-07 PG-TO252-3-11 QN0407Max

 8.1. Size:176K  infineon
 ipd70n10s3l-12 ipd70n10s3l-12 ds 1 1.pdf pdf_icon

IPD70N03S4L-04

IPD70N10S3L-12OptiMOS-T Power-TransistorProduct SummaryV 100 VDSR 11.5mWDS(on),maxI 70 ADFeatures N-channel - Enhancement modePG-TO252-3-11 Automotive AEC Q101 qualified MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperature Green product (RoHS compliant) 100% Avalanche testedType Package MarkingIPD70N10S3L-12 PG-TO252-3-11 QN10L12

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: SSG4392N | SSS1N60A | IPD50R280CE | SHDCG225715 | MTP8P25 | NDT6N70 | IRF6775M

 

 
Back to Top

 


 
.