IPD70N03S4L-04. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IPD70N03S4L-04

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 68 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 16 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 70 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 640 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0043 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для IPD70N03S4L-04

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IPD70N03S4L-04 даташит

 ..1. Size:186K  infineon
 ipd70n03s4l-04.pdf pdf_icon

IPD70N03S4L-04

IPD70N03S4L-04 OptiMOS -T2 Power-Transistor Product Summary V 30 V DS R 4.3 m DS(on),max I 70 A D Features N-channel - Enhancement mode PG-TO252-3-11 Automotive AEC Q101 qualified MSL1 up to 260 C peak reflow 175 C operating temperature Green product (RoHS compliant) Ultra low Rds(on) 100% Avalanche tested Type Package Marking IPD70N03S4L-04

 ..2. Size:186K  infineon
 ipd70n03s4l-04 ds.pdf pdf_icon

IPD70N03S4L-04

IPD70N03S4L-04 OptiMOS -T2 Power-Transistor Product Summary V 30 V DS R 4.3 m DS(on),max I 70 A D Features N-channel - Enhancement mode PG-TO252-3-11 Automotive AEC Q101 qualified MSL1 up to 260 C peak reflow 175 C operating temperature Green product (RoHS compliant) Ultra low Rds(on) 100% Avalanche tested Type Package Marking IPD70N03S4L-04

 7.1. Size:182K  infineon
 ipd70n04s3-07 ds 1 0.pdf pdf_icon

IPD70N03S4L-04

IPD70N04S3-07 OptiMOS -T Power-Transistor Product Summary V 40 V DS R 6.0 m DS(on),max I 82 A D Features N-channel - Enhancement mode PG-TO252-3-11 Automotive AEC Q101 qualified MSL1 up to 260 C peak reflow 175 C operating temperature Green package (RoHS compliant) 100% Avalanche tested Type Package Marking IPD70N04S3-07 PG-TO252-3-11 QN0407 Max

 8.1. Size:176K  infineon
 ipd70n10s3l-12 ipd70n10s3l-12 ds 1 1.pdf pdf_icon

IPD70N03S4L-04

IPD70N10S3L-12 OptiMOS -T Power-Transistor Product Summary V 100 V DS R 11.5 mW DS(on),max I 70 A D Features N-channel - Enhancement mode PG-TO252-3-11 Automotive AEC Q101 qualified MSL1 up to 260 C peak reflow 175 C operating temperature Green product (RoHS compliant) 100% Avalanche tested Type Package Marking IPD70N10S3L-12 PG-TO252-3-11 QN10L12

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IPD50N06S2-14, IPD50N06S2L-13, IPF105N03LG, IPD50N06S4-09, IPD50N06S4L-08, IPD50N06S4L-12, IPD50N10S3L-16, IPD50P03P4L-11, NCEP15T14, IPD70N04S3-07, IPD70N10S3-12, IPD70N10S3L-12, IPD80N04S3-06, IPD80P03P4L-07, IPD90N03S4L-02, IPD90N03S4L-03, IPD90N04S3-04