Справочник MOSFET. IPD70N10S3L-12

 

IPD70N10S3L-12 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IPD70N10S3L-12
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 70 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 950 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0115 Ohm
   Тип корпуса: TO252
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

IPD70N10S3L-12 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:176K  infineon
 ipd70n10s3l-12 ipd70n10s3l-12 ds 1 1.pdf pdf_icon

IPD70N10S3L-12

IPD70N10S3L-12OptiMOS-T Power-TransistorProduct SummaryV 100 VDSR 11.5mWDS(on),maxI 70 ADFeatures N-channel - Enhancement modePG-TO252-3-11 Automotive AEC Q101 qualified MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperature Green product (RoHS compliant) 100% Avalanche testedType Package MarkingIPD70N10S3L-12 PG-TO252-3-11 QN10L12

 4.1. Size:175K  infineon
 ipd70n10s3-12 ipd70n10s3-12 ds 1 1.pdf pdf_icon

IPD70N10S3L-12

IPD70N10S3-12OptiMOS-T Power-TransistorProduct SummaryV 100 VDSR 11.1mWDS(on),maxI 70 ADFeatures N-channel - Enhancement modePG-TO252-3-11 Automotive AEC Q101 qualified MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperature Green product (RoHS compliant) 100% Avalanche testedType Package MarkingIPD70N10S3-12 PG-TO252-3-11 QN1012Max

 7.1. Size:394K  infineon
 ipd70n12s3l-12.pdf pdf_icon

IPD70N10S3L-12

IPD70N12S3L-12OptiMOS-T Power-TransistorProduct Summary VDS 120 V RDS(on),max 11.5 mW ID 70 A Features OptiMOS - power MOSFET for automotive applicationsPG-TO252-3-11 N-channel - Enhancement mode Automotive AEC Q101 qualified MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperature Green product (RoHS compliant) 100% Avalanche testedT

 7.2. Size:361K  infineon
 ipd70n12s3-11.pdf pdf_icon

IPD70N10S3L-12

IPD70N12S3-11OptiMOS-T Power-TransistorProduct Summary VDS 120 V RDS(on),max 11.1 mW ID 70 A Features OptiMOS - power MOSFET for automotive applicationsPG-TO252-3-11 N-channel - Enhancement mode Automotive AEC Q101 qualified MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperature Green product (RoHS compliant) 100% Avalanche testedTy

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: 2SK3117 | NTMD6N03R2 | FDMS0309AS

 

 
Back to Top

 


 
.